英飞凌 CoolMOS C7 650V MOSFET中文规格手册：高效、快速切换与创新设计
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更新于2024-08-03
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"IPL65R195C7是英飞凌(INFINEON)推出的一款高性能650V CoolMOS C7系列功率晶体管，适用于需要高电压、高速度和高效能的应用。该芯片采用了革命性的Superjunction (SJ)技术，这是Infineon的一项创新成果，旨在提供出色的开关性能、更低的栅极电荷(Qg)以及最佳的开关频率(FOM)和导通电阻(RDS(on))，从而显著提升效率。
该芯片的特点包括：
1. 增强的dv/dt抗扰性：IPL65R195C7在快速电压变化环境下表现出优异的稳定性和可靠性，这对于处理高动态电流的电路非常重要。
2. 高效设计：得益于其业内领先的FOM值和RDS(on)乘以Eoss值，IPL65R195C7在保持低损耗的同时，提供了更优秀的能源转换效率。
3. 窄体型ThinPAK SMD封装：这种小型化的表面安装设备(SMD)封装，具有极低的寄生电感，有助于实现快速且可靠的开关操作，同时减少了电路板占用空间，提高了功率密度。
4. 用户友好：芯片设计考虑到了驱动器源引脚，使得控制门极更为便捷，方便工程师在设计过程中实现精确控制。
5. 环保特性：IPL65R195C7采用无铅(Pb-free)镀层和不含卤素的模具化合物，符合环保标准，降低了对环境的影响。
IPL65R195C7是一款专为高电压、高效率和紧凑设计应用定制的CoolMOS晶体管，它集成了Infineon在SJ技术方面的专业知识与创新，为用户提供了一个可靠、高效且易于集成的解决方案。无论是工业自动化、电源管理还是电机控制等领域，这款芯片都是一种理想的选择。"
3
650VCoolMOSªC7PowerTransistor
IPL65R195C7
Rev.2.1,2017-08-29Final Data Sheet
1Maximumratings
atT
j
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Continuous drain current
1)
I
D
-
-
-
-
12
8
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
- - 49 A T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse E
AS
- - 57 mJ I
D
=5.4A; V
DD
=50V; see table 10
Avalanche energy, repetitive E
AR
- - 0.29 mJ I
D
=5.4A; V
DD
=50V; see table 10
Avalanche current, single pulse I
AS
- - 5.4 A -
MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt - - 100 V/ns V
DS
=0...400V
Gate source voltage (static) V
GS
-20 - 20 V static;
Gate source voltage (dynamic) V
GS
-30 - 30 V AC (f>1 Hz)
Power dissipation P
tot
- - 75 W T
C
=25°C
Storage temperature T
stg
-40 - 150 °C -
Operating junction temperature T
j
-40 - 150 °C -
Mounting torque - - - n.a. Ncm -
Continuous diode forward current I
S
- - 12 A T
C
=25°C
Diode pulse current
2)
I
S,pulse
- - 49 A T
C
=25°C
Reverse diode dv/dt
3)
dv/dt - - 1 V/ns
V
DS
=0...400V,I
SD
<=I
S
,T
j
=25°C
see table 8
Maximum diode commutation speed di
F
/dt - - 55 A/µs
V
DS
=0...400V,I
SD
<=I
S
,T
j
=25°C
see table 8
Insulation withstand voltage V
ISO
- - n.a. V V
rms
,T
C
=25°C,t=1min
1)
Limited by T
j max
.
2)
Pulse width t
p
limited by T
j,max
3)
IdenticallowsideandhighsideswitchwithidenticalR
G
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