40N03GP-VB: N沟道30V TO220封装高性能场效应管

40N03GP-VB是一款N沟道TO220封装的TrenchFET® PowerMOSFET，它是一款专为高电压、大电流应用设计的场效应晶体管。这款晶体管具有以下关键特性： 1. **结构与封装**: 作为一款Trench FET，它采用了深槽工艺，这有助于提高开关速度和热性能，同时提供更高的可靠性和效率。TO220封装允许其在散热性能良好的环境中工作。 2. **电气规格**: - **耐压能力**：最大Drain-Source电压(VDS)为30V，确保了安全的工作范围。 - **栅源电压范围**：支持±20V的连续操作，允许灵活的控制电流。 - **持续电流**： - 在室温下（TA=25°C），连续Drain电流(ID)可达65A，而在70°C时为20A。 - 高脉冲电流限制（IDM）为200A，适应短暂但高负荷的情况。 - **安全特性和能量处理**：单脉冲雪崩电流(IAS)为39A，单次脉冲雪崩能量(EAS)为94.8mJ，保证了器件的过载保护。 - **漏极-源极二极管**：有连续源极-漏极电流(IS)，在室温下约为50A，且受包装限制电流（PD）控制，最大功率损耗在不同温度下有明确限制。 3. **温度管理**: - **工作温度范围**：从-55°C到175°C，包括操作和储存温度。 - **热阻**：提供了Junction-to-Ambient (RthJA)和Junction-to-Case (RthJC)的典型和最大值，用于估算内部热量传递。 4. **合规性**：该场效应管符合RoHS指令2011/65/EU，确保了环保标准。 5. **测试与认证**：100%的Rg和UISTest保证了元器件的质量，表面安装时固定在1"x1" FR4板上，快速热响应时间(t=10秒)。 40N03GP-VB场效应管是一款高性能、高可靠性的电源开关元件，适用于需要高电压、大电流和快速响应的应用场景，如电机控制、电源转换等，同时也考虑到了严格的温度管理和环保要求。