65nm工艺签核技术：信号EM流程与电源完整性分析

"65nm_Signoff.pdf" 是一份关于65纳米工艺芯片设计签收（signoff）流程的文档，由TSMC（台湾积体电路制造公司）于2009年发布。这份文档包含了关键的签收步骤和技术细节，旨在确保设计在制造过程中的质量和性能。 文档主要内容包括以下几个方面： 1. **信号电磁兼容性（Signal Electromagnetic Compatibility, Signal EM Flow）**：这部分讨论了在65纳米工艺中，如何分析和管理信号路径上的电磁干扰。这通常涉及到峰值、平均和均方根电流的计算，以及使用像AstroRail或TSMC的专用工具（如Ref.Flow 4.0/5.0）进行分析。 2. **电源网格签收（Power Grid Sign-off）**：电源网格是芯片供电的基础，签收阶段需要确保在不同工作模式下，如静态和动态IR降（IR drop），满足电压稳定性的要求。对于静态IR降，目标是在线束键合封装中平均功率IR降小于5%的VDD+VSS，而在倒装芯片封装中则小于3%。动态IR降应控制在4-5倍静态IR降且不超过15%的VDD+VSS。 3. **时序收敛与签收（Timing Closure & Sign-off）**：这是芯片设计的关键环节，确保所有电路路径满足预定的时序约束。在这个阶段，可能需要进行时序修复，比如通过添加空填充（dummy filling）来优化布线延迟。 4. **空填充流程及时序修复（Dummy Filling Flow & Timing Fixing）**：空填充用于改善布局布线的均匀性和减小工艺变化的影响，同时它也会影响时序。这个流程中，需要调整空填充以优化布线延迟，确保满足时序签收标准。 5. **其他签收考虑**：文档可能还涵盖了其他签收相关的主题，但具体内容未给出。这些可能包括噪声分析、热分析、可靠性验证等。 签收是集成电路设计中的最后阶段，确保设计满足所有的功能、性能和制造限制。65纳米技术节点的签收流程复杂而严谨，涉及到多个相互关联的分析步骤，以确保最终的芯片产品能够在实际应用中可靠、高效地工作。