TSMC 0.35μm锗硅工艺低噪音放大器设计与优化

"本文介绍了基于TSMC 0.35微米锗硅射频工艺模型设计低噪音放大器（LNA）的关键技术和方法。文章详细阐述了LNA在无线接收系统中的重要性，并探讨了共源共栅级结构在设计中的应用，以及如何通过级间匹配电感解决匹配问题。此外，还分析了低噪音放大器的基本要求，包括高增益、高线性度、良好的端口匹配、有效隔离和稳定性。 文章深入讨论了LNA的电路结构，特别是源极串联电感反馈匹配结构，该结构利用电感实现阻抗匹配，同时避免引入过多噪声。通过谐振条件的计算，解释了电感如何影响电路性能。此外，作者还给出了这种结构的小信号图，帮助理解其工作原理。 在噪声分析部分，文章列出了LNA中的主要噪声源，包括沟道电流噪声、感应栅电流噪声和栅电阻噪声，并提供了相应的噪声表达式。对于噪声优化，文章提出可以通过减少栅电阻来降低栅电阻噪声，同时分析了栅电流噪声的影响。噪声系数的定义和计算公式也被详细给出，这有助于理解LNA的噪声性能指标。 该文档详细解析了基于TSMC 0.35微米锗硅射频工艺的低噪音放大器设计过程，涵盖了从电路结构选择、匹配网络设计到噪声分析的各个环节，为实际工程设计提供了理论指导和技术参考。"