晶体管放大电路图解法扩展分析

"晶体管放大电路图解法应用的延伸 (2003年)，作者：邵中元，发表于《上海师范大学学报(自然科学版)》2003年3月刊，主要讨论了在晶体管电路分析中，如何运用图解法分析发射极串有电阻、具有稳定工作点及交流电流串联负反馈的共射电路。" 晶体管放大电路的图解法是一种直观的分析工具，传统上主要用于发射极接地的共射放大电路分析。然而，实际电路中，发射极常常串联电阻RE，以提供稳定的工作点和/或实现交流电流串联负反馈。这种电路的分析在传统的教学材料中并未得到充分的阐述。本文作者邵中元针对这一情况，尝试填补这一理论空白，并通过示波器展示相关规律。 首先，简单偏置共射放大电路的图解法如图1所示。直流负载线AB与输出特性曲线族中的某一条曲线（对应于I_BQ）交于静态工作点Q，夹角α由Rc决定。交流负载线同样经过Q点，与横轴的夹角α'则由Rc和RL并联决定。 当发射极串联电阻RE（如图3所示），情况变得复杂。此时，横轴表示的是集电极对地电压UC，而非Uce。由于RE的存在，发射极电压变为URE。为了准确描绘晶体管的工作状态，需要将输出特性曲线族整体右移，使得饱和区与URE相交。集电极电压UC的范围被限制在EC到(URE+Vces)之间。 如果在电路中接入负载RL，交流负载线会变成过Q点，且与横轴的夹角α'由Rc和RL并联决定的新值确定，交横轴于点E'C。这表明，RL的引入会改变电路的交流性能。 通过上述分析，我们可以了解到晶体管放大电路图解法在考虑实际电路元素如RE和RL时的应用，这对于理解和设计复杂的晶体管放大电路至关重要。这种方法有助于工程师和学生更深入地理解电路行为，以及如何通过调整电路参数来优化放大性能。