ME20N03-VB: 30V N沟道TO252封装高性能MOSFET应用解析
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更新于2024-08-03
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ME20N03-VB是一款由VBsemi公司生产的高性能N沟道TO252封装MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件特别适用于高功率电子应用,其关键特性如下:
1. **技术特点**:
- **TrenchFET® PowerMOSFET**:采用先进的沟槽型结构设计,提供了低导通电阻(RDS(ON))和高效能。
- **100% Rg and UIS Tested**:确保了在栅极驱动和共模输入电压下的优秀性能。
- **RoHS合规**:符合2011/65/EU指令,环保标准。
2. **电气规格**:
- **电压等级**:耐压高达30V,允许的栅源电压范围为±20V。
- **导通电阻**:
- 在VGS=10V时,RDS(ON) = 7mΩ,提供高效率的开关特性。
- 在VGS=4.5V时,RDS(ON) = 9mΩ,适合不同工作电压需求。
- **电流能力**:
- 连续工作电流(在TJ=175°C条件下):ID ≈ 25A (在不同温度下有不同限制)。
- 最大脉冲电流(L=0.1mH):IDM = 200A,用于短路保护。
- **热管理**:最大功率损耗(PD)在25°C时可达100W,有温度依赖性限制。
3. **应用场景**:
- **ORing**:适用于电路中的逻辑门电路,实现电源的并联或隔离。
- **服务器**:由于其高耐压和大电流处理能力,适用于服务器电源管理和散热控制。
- **DC/DC转换器**:在电源转换电路中作为开关元件,提供稳定的电压转换。
4. **注意事项**:
- 所有参数基于25°C环境温度,表面安装在1"x1" FR4板上,短时间(t=10秒)内操作。
- 最大稳态条件下的结温限制为90°C/W,且包装极限电流为90A。
5. **安全信息**:
- 工作结温范围:-55°C至175°C,存储温度范围同样。
- 有特定的热阻抗值(如RθJA)用于计算实际热管理设计中的散热要求。
总结来说,ME20N03-VB是一款适合高功率、高效率应用的N沟道MOSFET,具有优异的电气性能和宽广的工作温度范围,对于设计者来说,是构建各种工业级和数据中心设备的理想选择。在设计电路时需注意其限制条件,确保适当的散热措施,以保证设备的长期稳定运行。
2023-12-19 上传
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2012-12-22 上传
2014-09-10 上传
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