英飞凌BSS159N芯片中文规格书：N沟道 depletion模式 MOSFET

"BSS159N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文将详细介绍英飞凌（INFINEON）的BSS159N芯片，这是一款N沟道 depletion模式的小信号MOSFET，适用于需要高速开关性能和低导通电阻的应用场景。该芯片具有以下特性： 1. **N沟道**：BSS159N是一款N型沟道MOSFET，意味着其栅极-源极电压（VGS）在正向时能开启电路，允许电流通过。 2. **Depletion模式**：这种类型的MOSFET在无栅极电压（VGS=0V）时即处于导通状态，具有较低的静态电阻（RDS(on)）。 3. **dv/dt rated**：此芯片能够承受快速的电压变化率（dv/dt），确保在高频率操作下的稳定性。 4. **VGS(th) indicator on reel**：在卷轴上，芯片带有VGS(th)指示器，方便识别和分类不同阈值电压的器件。 5. **AECQ101认证**：符合汽车电子委员会的AECQ101标准，意味着这款芯片满足汽车行业的质量要求，适合用于汽车电子系统。 6. **环保属性**：100%无铅，符合卤素免费和RoHS指令，对环境友好。 BSS159N的主要参数包括： - **VDS**: 最大漏源电压为60V，确保在额定电压下稳定工作。 - **RDS(on),max**: 最大导通电阻为8欧姆，决定了芯片在导通状态下电阻的大小，低RDS(on)意味着更低的功耗和更高的效率。 - **IDSS,min**: 最小漏极饱和电流为0.13A，表明在无栅极电压时的漏极电流。 产品封装信息： - **PG-SOT-23**：采用PG-SOT-23封装，这是一种小型表面安装封装，适合高密度PCB布局。 - **Pb-free & Halogen-free**：芯片无铅且无卤素，符合现代电子产品环保要求。 - **Tape and Reel Information**：采用带状包装，如H6327或H6906，每卷3000片，且根据VGS(th)分选。 安全和性能指标： - **连续漏极电流 (ID)**：在25°C时最大连续电流为0.23A，70°C时降至0.18A。 - **脉冲漏极电流 (ID,pulse)**：在25°C时可承受的脉冲电流为0.92A。 - **反向二极管 dv/dt**：最大反向二极管电压变化率为6kV/μs。 - **栅源电压 (VGS)**：最大栅源电压为±20V。 - **ESD Class**：根据JESD22-A114-HBM标准，人体模型ESD保护等级为0V（<250V）。 - **总功率耗散 (Ptot)**：在25°C时最大功率耗散为0.36W。 - **工作与存储温度 (Tj, Tstg)**：工作和存储温度范围为-55至150°C，符合55/150/56 IEC气候类别。 BSS159N是英飞凌的一款高性能、高质量的小信号MOSFET，特别适合于需要高开关速度、低损耗和可靠性的应用，例如汽车电子、电源管理以及各种控制电路。