英飞凌SPA11N60C3高压 MOSFET 技术规格

英飞凌的SPA11N60C3是一款革命性的高电压 CoolMOS™ Power Transistor，它在高性能电源转换应用中表现出色。这款器件采用先进的技术设计，具有以下主要特性： 1. **高电压耐受**：在最大工作温度（Tjmax）下，VDS电压高达650V，确保了在高压环境中稳定运行。 2. **低导通电阻（RDS(on)）**：静态导通电阻仅为0.38Ω，有助于降低开关损耗，提高能源效率。 3. **高持续电流（ID）**：连续工作时，电流能力可达11A，满足大电流负载的需求。 4. **改进的电导率**：通过优化设计，提高了器件的内建电导，使开关速度更快，响应更迅速。 5. **安全特性**：包括定期的雪崩限制，如单脉冲雪崩能量EAS（340mJ）和重复性Tjmax限制下的雪崩电流IAR（11A），确保设备的可靠性和安全性。 6. **封装选项**：提供多种封装类型，如PG-TO-220、PG-TO262和P-TO220-3-31等，满足不同应用场合对电气隔离和尺寸的要求。 7. **标称标记**：如11N60C3，可用于区分不同的型号和版本。 8. **功率散热**：在25°C环境温度下，最大功率耗散为125W，而100°C时为33W，表明了良好的热管理性能。 9. **控制电压**：静态和交流栅极源电压范围分别为±20V和±30V，满足不同控制信号的要求。 10. **脉冲电流限制**：允许的脉冲峰值电流IDpuls为33A，但需注意，该值受Tjmax限制。 订购代码如Q67040-S4395、Q67042-S4403和Q67040-S4408分别对应不同封装类型的型号。 在选择和使用SPA11N60C3时，务必参考其最高工作条件和限制，以确保在实际应用中的可靠性和效能。这是一款专为需要高电压、低损耗和快速响应的电力电子系统设计的高效能组件。