英飞凌IPD320N20N3G芯片中文规格书：高性能功率晶体管

"IPD320N20N3 G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册" 本文档是英飞凌科技公司（INFINEON）的IPD320N20N3G OptiMOSTM3 功率晶体管的中文规格书。该芯片是一款N沟道、正常电平驱动的功率半导体器件，适用于高频率切换和同步整流应用。以下是对该芯片主要特性和参数的详细说明： 1. **特性**： - N通道设计：这意味着它在栅极电压高于源极电压时导通，低于源极电压时截止。 - 优秀的门极电荷与RDS(on)乘积（FOM）：这个指标代表了开关性能，较低的FOM意味着更快的开关速度和更低的损耗。 - 极低的导通电阻（RDS(on)）：RDS(on)决定了芯片在导通状态下的压降，低RDS(on)能降低功耗和发热。 - 高工作温度：可以承受高达175°C的工作环境，增强了其在高温条件下的稳定性。 - 符合RoHS标准的无铅镀层：符合环保要求。 - 按照JEDEC标准进行合格验证：确保了产品的质量和可靠性。 2. **最大额定值**： - 在25°C时，连续漏极电流（ID）为34A，而在100°C时，ID降至24A。 - 在25°C时，脉冲漏极电流（ID,pulse）可达136A，具体视图3所示的波形而定。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）在ID=34A，RGS=25W时为190mJ，表明了芯片承受过载能力。 - 反向二极管的最大dv/dt为10kV/µs，限制了反向电压变化速率。 - 栅极源电压（VGS）范围在±20V之间，超过此范围可能导致器件损坏。 - 总功率耗散（Ptot）在25°C时为136W。 - 工作和存储温度范围为-55°C到175°C，符合IEC55/175/56气候类别。 3. **封装与标识**： - 芯片采用PG-TO252-3封装，表面贴装型，便于安装在电路板上。 - 标记代码为320N20N，用于识别芯片型号。 4. **热特性**： - 规格书中还包含热阻抗（Thermal resistance, junction-to-case, RθJC）等参数，这些参数关系到芯片在工作时的散热效率，对于高功率应用至关重要。 5. **参数范围**： - 参数表中列出了最小值（min.）、典型值（typ.）和最大值（max.），这些数值提供了芯片在不同工作条件下的性能预期。 IPD320N20N3G是一款高性能、高耐温的N沟道MOSFET，适合于需要高效能和可靠性的电源管理、开关电源和电机驱动等应用。其低RDS(on)和优化的开关特性使其在高频应用中表现出色。同时，其符合RoHS标准的制造工艺和JEDEC认证确保了其对环境友好且具有高质量。