IRFR13N15DTRPBF-VB：高性能N沟道MOSFET，适用于电源开关应用

"IRFR13N15DTRPBF-VB是一款由IRF公司生产的N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于电源管理、开关应用等场景。这款MOSFET拥有150V的额定漏源电压（VDS），在10V栅极电压下，其漏源导通电阻（RDS(on)）低至0.074欧姆，而Qg典型值仅为23nC，具备快速开关特性和低损耗优势。" IRFR13N15DTRPBF-VB是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于高压和高速开关操作。其关键特性包括： 1. **耐压能力**：这款MOSFET的漏源电压VDS最高可达150V，能承受较高的工作电压，适合于高电压电源系统。 2. **低导通电阻**：在10V的栅极-源极电压（VGS）下，RDS(on)仅为0.074欧姆，这意味着在导通状态下，电流流动时的功率损耗较低，提升了效率。 3. **快速开关性能**：极低的栅极电荷（Qg）仅为23nC，这使得MOSFET在开关过程中损失的能量减少，提高了开关速度和整体系统性能。 4. **安全测试**：该器件经过了100%的栅极电阻（Rg）测试和100%的雪崩测试，确保了其可靠性和耐用性。 5. **环保认证**：符合RoHS指令2002/95/EC，不含卤素，满足环保要求。 6. **应用领域**：IRFR13N15DTRPBF-VB常用于主电源开关，能够处理大电流，且在高温环境下也能保持良好的性能。 7. **绝对最大额定值**：在25°C环境温度下，连续漏极电流ID可达到25.4A，而最大功率耗散为5.9W；随着温度升高，这些值会相应降低。 8. **工作与存储温度范围**：工作结温（TJ）和存储温度（Tstg）范围为-55°C到150°C，确保了其在宽温范围内的稳定性。 这款MOSFET因其优秀的电气性能和安全性，广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效能、低损耗的电子设备中。在实际应用中，考虑到热管理，应确保不超过其最大功率耗散和结温限制，以保证其长期稳定工作。