SPU04N60C3-VB：高性能N沟道MOS管技术规格

"SPU04N60C3-VB是一种N沟道MOS场效应晶体管，采用TO251封装，具有低栅极电荷、增强的门极、雪崩和动态dV/dt耐受性。该器件经过充分的特性化，包括电容和雪崩电压及电流的测试，并符合RoHS指令2002/95/EC的要求。" SPU04N60C3-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要特点是其低栅极电荷（Qg），这使得它对驱动电路的需求简化，提高了开关速度和效率。低Qg通常意味着更少的能量损失在开关过程中，从而降低了系统的总体功耗。此外，这款MOSFET还具有增强的门极、雪崩和动态dV/dt耐受性，确保了在高速操作或高电压冲击时的稳定性和可靠性。 该器件的最大漏源电压（VDS）为650V，这意味着它可以承受高达650伏的电压而不损坏。在10V的栅源电压下，它的导通电阻（RDS(on)）仅为2.1欧姆，这表明当MOSFET完全打开时，流过器件的电流与电压之间的电阻非常小，有利于降低功率损耗。其最大连续漏源电流（ID）在25°C时为3.2A，而在100°C时为4.2A，显示了良好的温度稳定性。 在脉冲电流方面，SPU04N60C3-VB的最大脉冲漏源电流（IDM）为18A，这意味着它可以在短时间内处理较大的峰值电流。同时，单脉冲雪崩能量（EAS）为325毫焦，重复雪崩电流（IAR）为4A，重复雪崩能量（EAR）为6毫焦，这些参数保证了MOSFET在短路或过载情况下能够承受一定次数的雪崩击穿而不会损坏。 最大功率耗散（PD）在25°C时为60瓦，这意味着在正常工作条件下，器件能安全地散发出不超过60瓦的热量。线性降额因子为0.48W/°C，表示随着温度升高，器件的功率承载能力会按比例下降。 SPU04N60C3-VB是一款适用于高电压、大电流应用的MOSFET，特别适合于电源转换、电机控制、开关电源和逆变器等场合，其优化的电气特性和耐受性使其成为设计者信赖的组件选择。