SPU04N60C3-VB:高性能N沟道MOS管技术规格
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更新于2024-08-03
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"SPU04N60C3-VB是一种N沟道MOS场效应晶体管,采用TO251封装,具有低栅极电荷、增强的门极、雪崩和动态dV/dt耐受性。该器件经过充分的特性化,包括电容和雪崩电压及电流的测试,并符合RoHS指令2002/95/EC的要求。"
SPU04N60C3-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要特点是其低栅极电荷(Qg),这使得它对驱动电路的需求简化,提高了开关速度和效率。低Qg通常意味着更少的能量损失在开关过程中,从而降低了系统的总体功耗。此外,这款MOSFET还具有增强的门极、雪崩和动态dV/dt耐受性,确保了在高速操作或高电压冲击时的稳定性和可靠性。
该器件的最大漏源电压(VDS)为650V,这意味着它可以承受高达650伏的电压而不损坏。在10V的栅源电压下,它的导通电阻(RDS(on))仅为2.1欧姆,这表明当MOSFET完全打开时,流过器件的电流与电压之间的电阻非常小,有利于降低功率损耗。其最大连续漏源电流(ID)在25°C时为3.2A,而在100°C时为4.2A,显示了良好的温度稳定性。
在脉冲电流方面,SPU04N60C3-VB的最大脉冲漏源电流(IDM)为18A,这意味着它可以在短时间内处理较大的峰值电流。同时,单脉冲雪崩能量(EAS)为325毫焦,重复雪崩电流(IAR)为4A,重复雪崩能量(EAR)为6毫焦,这些参数保证了MOSFET在短路或过载情况下能够承受一定次数的雪崩击穿而不会损坏。
最大功率耗散(PD)在25°C时为60瓦,这意味着在正常工作条件下,器件能安全地散发出不超过60瓦的热量。线性降额因子为0.48W/°C,表示随着温度升高,器件的功率承载能力会按比例下降。
SPU04N60C3-VB是一款适用于高电压、大电流应用的MOSFET,特别适合于电源转换、电机控制、开关电源和逆变器等场合,其优化的电气特性和耐受性使其成为设计者信赖的组件选择。
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