掌握6116半导体静态存储器工作与读写实验详解

本实验文档主要关注于半导体静态存储器（Static Random Access Memory, SRAM）在计算机组成原理中的应用。首先，实验的目标是让学生深入了解静态存储器的工作特性和使用方法，以及如何通过半导体随机存储器（如6116芯片）实现数据的存储和读取。 6116是一种常见的2K×8位静态存储器，其存储容量为1K字节，地址线共计11位，通过10位地址拨码开关DSW1确定具体地址。该芯片有三个控制信号线：片选线、读线和写线，它们可以通过拨码开关DSW2进行操作。当片选有效且配合正确的读写操作时，数据可以在存储器中进行存取。 实验原理部分详细描述了实验电路结构，其中包括三态门74LS245和数据拨码开关DSW3，它们共同作用于6116的存储单元。使用DSW3来输入数据，通过控制DSW4和74LS245的引脚状态，使得数据能够正确地传输到存储器。接着，通过调整DSW2的设置，可以指定写入特定的存储单元。 操作步骤中，以写入9号单元的数据为例，学生需要先确定要存储的值（如0X11H），然后调整拨码开关，使写线有效并传输数据，最后选择9号单元作为目标地址进行写入。整个过程涉及对存储器工作原理的深入理解和实际操作技能的训练。 此外，文档还包含了电路图和仿真结果图，这些图表有助于学生直观地理解静态存储器的工作流程，并验证其功能是否正常。通过这个实验，学生不仅能提升对静态存储器的理解，还能锻炼他们的实践能力和问题解决能力。 这个实验不仅涵盖了静态存储器的基本概念，还强调了实验操作的实践性，对于学习计算机组成原理的学生来说，是一个不可或缺的实践经验积累环节。