掌握6116半导体静态存储器工作与读写实验详解
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更新于2024-08-05
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本实验文档主要关注于半导体静态存储器(Static Random Access Memory, SRAM)在计算机组成原理中的应用。首先,实验的目标是让学生深入了解静态存储器的工作特性和使用方法,以及如何通过半导体随机存储器(如6116芯片)实现数据的存储和读取。
6116是一种常见的2K×8位静态存储器,其存储容量为1K字节,地址线共计11位,通过10位地址拨码开关DSW1确定具体地址。该芯片有三个控制信号线:片选线、读线和写线,它们可以通过拨码开关DSW2进行操作。当片选有效且配合正确的读写操作时,数据可以在存储器中进行存取。
实验原理部分详细描述了实验电路结构,其中包括三态门74LS245和数据拨码开关DSW3,它们共同作用于6116的存储单元。使用DSW3来输入数据,通过控制DSW4和74LS245的引脚状态,使得数据能够正确地传输到存储器。接着,通过调整DSW2的设置,可以指定写入特定的存储单元。
操作步骤中,以写入9号单元的数据为例,学生需要先确定要存储的值(如0X11H),然后调整拨码开关,使写线有效并传输数据,最后选择9号单元作为目标地址进行写入。整个过程涉及对存储器工作原理的深入理解和实际操作技能的训练。
此外,文档还包含了电路图和仿真结果图,这些图表有助于学生直观地理解静态存储器的工作流程,并验证其功能是否正常。通过这个实验,学生不仅能提升对静态存储器的理解,还能锻炼他们的实践能力和问题解决能力。
这个实验不仅涵盖了静态存储器的基本概念,还强调了实验操作的实践性,对于学习计算机组成原理的学生来说,是一个不可或缺的实践经验积累环节。
2022-11-15 上传
2020-06-20 上传
2022-07-07 上传
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2022-07-06 上传
枯树落叶秋风
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