TPS23751/2 - IEEE802.3at PoE接口与直流/直流控制器
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更新于2024-06-29
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"TI-TPS23752.pdf 是一款由德州仪器（TI）生产的集成电路，主要用于IEEE802.3at标准的PoE（Power over Ethernet）接口，适用于直流/直流转换器的控制。该器件具备多种功能和特性，如高效能、高负载范围适应性以及低功耗模式等。"
TPS23751和TPS23752是TI推出的反激式直流/直流控制器，特别设计用于实施IEEE802.3at标准的PoE（功率以太网）功能。PoE允许通过以太网电缆同时传输数据和电力，简化了设备的供电，尤其适用于网络摄像头、IP电话和无线接入点等设备。
该芯片的主要特性包括：
1. **状态标志支持**：能够根据IEEE802.3at标准对受电设备进行分类，确保功率分配的正确性。
2. **高效性能**：在宽负载范围内提供高效能，确保电源管理的优化。
3. **高功率处理能力**：可以为高达25.5瓦（W）的设备供电，满足许多PoE应用的需求。
4. **耐用的MOSFET**：采用100V，0.5Ω的热交换金属氧化物半导体场效应晶体管，保证了良好的开关性能和稳定性。
5. **同步整流器禁用信号**：可以控制同步整流器的工作状态，优化能效。
6. **PowerPAD封装技术**：采用PowerPAD™薄型小外形尺寸(TSSOP)封装，减小了封装尺寸并提高了散热效率。
7. **完整的PoE接口**：集成了所有必要的PoE功能，如检测、分类、供电和保护。
8. **适配器ORing支持**：允许在多个电源之间进行故障切换，提高系统可靠性。
9. **可编程频率**：用户可以根据具体应用需求调整工作频率。
10. **低功耗模式**：TPS23752支持超低功耗睡眠模式，有助于节省能源。
此外，此数据表还提醒用户注意文档末尾的重要声明，包括产品可用性、保修、安全关键应用的使用、知识产权事项以及其他免责声明。产品数据为生产数据，英文数据表为SLVSB97，而中文版本为ZHCSA47E，初次发布于2012年7月，最后修订于2018年1月。这款集成电路为系统设计者提供了强大的工具，帮助构建符合标准且高效的PoE解决方案。
9
TPS23751
,
TPS23752
www.ti.com.cn
ZHCSA47E –JULY 2012–REVISED JANUARY 2018
Copyright © 2012–2018, Texas Instruments Incorporated
6.8 Electrical Characteristics - PoE Interface Section
Unless otherwise noted, 40 V ≤ V
DD
≤ 57 V; V
CTL
= V
MODE
= V
SLPb
= V
B
; V
SRT
= 0.5 V; V
APD
= V
CS
= V
ARTN
= V
RTN
; CLS, GATE,
LED, SRD, T2P open; R
WAKE
= 392 kΩ; R
DEN
= 24.9 kΩ; R
T
= 34 kΩ; C
VB
= C
VC
= 0.1 µF;
–40 ≤ T
J
≤ 125°C. Typical values are at 25°C. All voltages referred to V
SS
.
Unless otherwise noted, V
VC
= V
APD
= V
CS
= V
ARTN
= V
RTN
.
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
DEN (DETECTION AND ENABLE)
Bias current
DEN open, I
VDD
+ I
DEN
+ I
RTN
, V
VDD
= 10.1 V, not in
mark
3 5 12 µA
DEN leakage current V
DEN
= V
VDD
= 57 V 0.1 5 µA
Detection current
I
VDD
+ I
DEN
+ I
RTN
, V
VDD
= 1.4 V 53.8 56.5 58.3
µA
I
VDD
+ I
DEN
+ I
RTN
, V
VDD
= 10.1 V 395 410 417
V
PD_DIS
Disable threshold DEN falling 3 3.6 5 V
Hysteresis 50 113 200 mV
CLS (CLASSIFICATION)
I
CLS
Classification current
13 V ≤ V
VDD
≤ 21 V, Measure I
VDD
+ I
DEN
+ I
RTN
mA
R
CLS
= 1270 Ω 1.80 2.17 2.60
R
CLS
= 243 Ω 9.90 10.60 11.20
R
CLS
= 137 Ω 17.60 18.60 19.40
R
CLS
= 90.9 Ω 26.50 27.90 29.30
R
CLS
= 63.4 Ω 38.00 39.90 42.00
V
CL_ON
V
CL_H
Class lower threshold
V
VDD
rising, V
CLS
↑ 11.9 12.5 13 V
Hysteresis 1.4 1.6 1.7 V
V
CU_OFF
V
CU_H
Class upper threshold
V
VDD
rising, V
CLS
↓ 21 22 23 V
Hysteresis 0.50 0.75 0.90 V
V
MSR
Mark reset threshold V
VDD
falling 3 3.9 5 V
Mark state resistance 2-point measurement at 5 V and 10.1 V 6 9.1 12 kΩ
Leakage current V
VDD
= 57 V, V
CLS
= 0 V, measure I
CLS
1 µA
RTN (PASS DEVICE)
r
DS(on)
On resistance V
VC
= V
APD
= V
ARTN
= V
CS
= V
VDD
0.20 0.45 0.75 Ω
Current limit
V
VC
= V
APD
= V
ARTN
= V
CS
= V
VDD
, V
RTN
=1.5 V,
Measure I
RTN
0.85 1.00 1.20 A
Inrush current
V
VC
= V
APD
= V
ARTN
= V
CS
= V
DD
, V
RTN
= 2 V, V
DD
=
20 V → 48 V
100 140 180 mA
Inrush termination Percentage of inrush current 80% 90% 99%
Foldback threshold V
RTN
↑ 11.0 12.3 13.6 V
Foldback deglitch time
V
RTN
rising to when current limit changes to inrush
current limit
500 800 1500 µs
Input bias current V
VDD
= V
RTN
= 30 V, Measure I
RTN
30 µA
RTN leakage current V
RTN
= V
VDD
= 100 V, V
DEN
= V
VSS
50 µA
T2P (TYPE 2 PSE INDICATION)
V
T2P
Output low voltage
I
T2P
= 2 mA, after 2-event classification and softstart
is complete,
V
VC
= 12 V, V
CTL
= 3 V, V
ARTN
= V
VSS
0.26 0.60 V
t
T2P
T2P startup delay
V
CTL
= 3 V, V
APD
= 2 V, Measure from switching start
to V
T2P
↓
2 4.3 7 ms
Leakage current V
T2P
= 18 V, V
ARTN
= V
VSS
10 µA
PoE – PD UVLO
V
UVLO_R
UVLO rising threshold 36.3 38.1 40
V
UVLO falling threshold 30.5 32.0 33.6
SUPPLY CURRENT
Operating current Measure I
VDD
, V
VDD
= 48 V, 40 V ≤ V
VDD
≤ 57 V 210 500 µA
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