提高LDMOS耐压性能的射频集成电路设计
需积分: 9 169 浏览量
更新于2024-09-07
收藏 158KB DOC 举报
"适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计"
LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)是一种广泛应用于移动通信基站、雷达和导航系统的半导体器件,因其高功率增益、高效率和成本效益而备受青睐。尤其在3G手机基站的射频放大器中,射频大功率LDMOS因其能在P、L波段以上的频率工作并提供良好的性价比而成为首选。
然而,随着集成电路的集成度不断提高和器件特征尺寸减小,栅氧化层的厚度变得越来越薄,导致器件的栅耐压能力减弱,击穿电压成为衡量LDMOS可靠性的关键参数。击穿电压不仅决定了器件的最大输出功率,还直接影响其耐压能力。因此,设计中必须考虑提高LDMOS的抗击穿能力。
LDMOS的基本结构采用双扩散技术,磷在同一流程窗口内进行扩散,沟道长度由两种扩散的横向结深决定。其独特之处在于,由于漂移区隔离了漏区和沟道,当施加的电压Vds增大时,输出电阻保持稳定,而且由于栅电极与漏区不重叠,进一步提高了漏源击穿电压。
LDMOS的耐压性能受多种因素影响,包括埋层、漂移区掺杂浓度和衬底掺杂浓度。首先,N型埋藏层(NBL)在P衬底中的注入有助于形成寄生三极管,为电流提供放电路径,减少内部电阻,同时通过降低沟道附近的等位线曲率提升击穿电压。其次,漂移区的掺杂浓度至关重要,低掺杂的漂移区是LDMOS击穿电压高于传统MOS的关键。漂移区长度、深度和浓度都与击穿电压紧密相关,长度增加能提高击穿电压,但超过一定值后,增加的效果会减缓。最后,衬底掺杂浓度也会影响耐压性能,适当的掺杂可以优化漂移区的电荷分布,从而提升器件的击穿特性。
在设计LDMOS时,优化这些参数是提高其抗击穿能力的核心。通过精细调整埋层的结构,控制漂移区的掺杂浓度和漂移区长度,以及合理设定衬底掺杂,可以实现LDMOS器件性能的显著提升,使其在射频集成电路应用中更加可靠和高效。
138 浏览量
184 浏览量
2020-08-29 上传
2021-09-23 上传
2022-12-15 上传
2021-08-11 上传
669 浏览量
2023-02-22 上传
2023-11-10 上传

weixin_38744435
- 粉丝: 374
最新资源
- Service Notification综合应用与学习研究
- 开源实验光线投射引擎:Ray enchanter
- 全面体验无注册码电脑测试软件EverestUltimate
- Arduino源码实现多功能纸张检测系统
- Potrace for Sketch插件:将位图快速转化为矢量图形
- 2022北航操作系统课程全套课件
- 新型Minecraft块文件格式:快速且可扩展的Blocks-master
- 课堂提问语音点名器V1.0:创新教学辅助工具发布
- 掌握Google GTest,助力Protobuf源码构建
- 深入解析IIS使用方法与技巧
- 深入解析Android系统框架与中间件
- 赫尔辛基设计系统草图助手:保持草图文件一致性
- TortoiseSVN1.9.3 中文版安装教程与语言包下载
- 无需arg参数直接暴露GC功能的JavaScript模块
- 16世邦IP网络广播SDK技术解析与应用
- 新版桌面工具实现高效窗口管理与UNICODE支持