AON2801技术规格：低阻P沟道场效应晶体管

"AON2801规格书.pdf" AON2801是一款双通道P沟道增强型场效应晶体管，适用于需要低导通电阻、快速开关特性和低栅极电压操作的场合。这款器件特别适用于负载开关或脉宽调制（PWM）应用。 在电气参数方面，AON2801具有以下特性： 1. **VDS**：漏源电压的最大值为-20V，这意味着晶体管可以承受的最大反向电压是20伏。 2. **VGS**：栅源电压的典型值为±8V，最大值为-20V。这表示控制晶体管导通和关断所需的最小和最大栅极电压。 3. **IDM**：脉冲漏电流的最大值为-15A，这意味着晶体管在短时间内可以处理的最大电流。 4. **ID**：连续漏电流，在环境温度为25°C时，最大连续漏电流为-3A。这是晶体管在正常工作条件下能持续通过的最大电流。 5. **RDS(ON)**：在不同栅极电压下，AON2801的导通电阻非常低，例如在VGS=-4.5V时小于120毫欧，VGS=-2.5V时小于160毫欧，VGS=-1.8V时小于200毫欧。较低的RDS(ON)意味着在高电流流过时有较小的电压降，从而提高了效率。 6. **热特性**：AON2801的热特性包括两种情况，瞬态和稳态。瞬态情况下，最大结温到环境温度的热阻（RθJA）为≤10s时的175°C/W，而在稳态下，这个值为70°C/W。这些值影响了器件在高功率消耗时的散热能力。 7. **工作温度范围**：结温和存储温度范围为-55°C到150°C，确保了器件在广泛的工作环境中都能稳定运行。 8. **功耗**：在环境温度为25°C时，最大功率耗散（PDSM）为1.5W，这限制了晶体管在特定环境下的最大工作功率。 AON2801和AON2801L在电气上是相同的，都符合RoHS标准，并且是无卤素的，这对环保和安全有着积极的影响。此外，它们采用了先进的沟槽技术，实现了优秀的RDS(ON)，低门极电荷，以及1.8V的低栅极电压操作，这些特点使得该器件在电源管理应用中表现优异。