英飞凌600V CoolMOS™ C7 MOSFET技术规格手册

"IPB60R120C7是英飞凌公司生产的600V CoolMOS™ C7系列功率MOSFET芯片的规格书，详细介绍了这款基于超级结（Superjunction）技术的革命性高压功率MOSFET。该芯片采用D²PAK封装，具有低阻抗、高耐压、快速开关和优异的热性能等特性，适用于硬开关和软开关应用，如功率因数校正（PFC）和高效LLC谐振转换器。" 英飞凌的CoolMOS™ C7技术是一种创新的高压功率MOSFET设计，它利用超级结原理，大大提升了器件的性能。这种技术使得600V CoolMOS™ C7系列在RDS(on) * 面积这一关键指标上首次达到低于1欧姆*平方毫米的水平，这意味着在相同尺寸下，其导通电阻更小，能效更高。 该芯片的主要特点包括： 1. **多用途适应性**：IPB60R120C7能够适应硬开关和软开关操作，这使得它在电源转换系统如PFC和高效率LLC谐振转换器中表现出色。 2. **增强的MOSFET dv/dt鲁棒性**：其耐受电压变化率提升至120V/ns，这增强了器件在高速开关环境下的稳定性。 3. **卓越的能效**：由于具有最佳的FOM（Figure of Merit）——RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg，该芯片在运行时能显著提高系统的整体效率。 4. **领先的封装效率**：在封装级别提供最佳的RDS(on)，意味着在相同封装尺寸下，它的导通电阻更低，从而实现更高的功率密度。 5. **工业级应用的可靠性**：该产品已通过JEDEC标准（J-STD-20和JESD22）的工业级应用资格认证，确保了在严苛环境下的稳定工作。 在实际应用中，IPB60R120C7芯片因其出色的电气特性和可靠的性能，被广泛应用于电力电子领域，如开关电源、电机驱动、光伏逆变器以及电动汽车充电基础设施等。其低损耗和高速开关能力有助于减少系统损耗，提高整体系统的能效，同时减小发热，降低冷却需求，从而降低系统成本。 在设计和选型时，工程师需要考虑IPB60R120C7的参数，如最大持续 Drain-Source 电压（VDS(max)）、最大栅极-源极电压（VGS(max)）、栅极阈值电压（VGS(th)）、额定电流（ID）以及开关速度等，以确保在实际电路中正确、安全地使用。此外，了解其热特性，如热阻（RθJA）和推荐的散热解决方案也是至关重要的，以确保设备在长时间运行中保持良好的热稳定性。