模拟电子技术第四版习题详解

"模拟电子技术(第四版华成英主编)习题答案，包含章节‘第一章常用半导体器件’的练习题目及解答，格式为pdf。" 本文档提供了模拟电子技术课程的相关习题及其答案，主要涉及半导体器件的基础知识。第一章主题为“常用半导体器件”，涵盖了以下几个关键知识点： 1. 半导体类型与掺杂： - N型半导体通过掺杂三价元素（如硼）形成，其中多数载流子是自由电子。 - P型半导体由五价元素（如磷）掺杂N型半导体得到，多数载流子为空穴。 2. PN结： - PN结在没有光照和外加电压时，结电流接近于零。 - 当PN结正向偏置时，空间电荷区变窄，反之变宽。 3. 二极管： - 二极管的电流方程通常表示为I = I_S * (e^(V_D/V_T) - 1)，其中I_S是饱和电流，V_D是二极管两端电压，V_T是热电压。 - 稳压管在反向击穿区工作，以提供稳定的电压输出。 4. 晶体管： - 放大状态下，晶体管的集电极电流主要是少子漂移运动产生的。 - 晶体管在放大区工作时，发射结需正偏，集电结需反偏。 5. 场效应管： - 结型场效应管的栅-源电压控制耗尽层，使其承受反向电压以增大输入电阻。 - 耗尽型N沟道MOS管，UGS大于零时，输入电阻不会明显减小。 - 当UGS为0V时，结型管和耗尽型MOS管可以工作在恒流区。 习题解答部分包括了判断题、选择题和应用题，涉及的具体内容包括： - 判断题涉及半导体类型转变、半导体电荷状态、PN结电流等概念。 - 选择题涵盖了PN结电压效应、二极管的电流特性、稳压管的工作状态以及晶体管的工作模式。 - 应用题部分包含了计算输出电压、利用稳压管设计电路以及分析晶体管的过损耗区等问题。 通过这些习题与解答，学习者可以检验自己对模拟电子技术基础知识的理解程度，并通过解题过程深化对半导体器件工作原理的认知。对于复习和备考该课程的学生来说，这是一个非常有价值的参考资料。