NORFlash与NANDFlash：引导程序开发的关键差异

本文档深入探讨了NorFlash与NANDFlash这两种不同类型的闪存技术，它们在引导程序开发中的应用具有重要意义。NorFlash，全名只读闪存（Non-Volatile Random-Access Memory），主要特点是存储程序，并支持独立的数据和地址总线，可以实现快速随机读取，代码可以直接从Flash执行，但擦除和编程操作相对较慢，以块为单位进行，适合需要长期保留代码的场合。例如，在CompactFlash卡这类以写入为主的应用中，NORFlash仍有其优势。 相比之下，NANDFlash技术以其较低的成本和更高的读写速度而闻名。NANDFlash主要用来存储数据，以页为基本单位进行读写操作，页大小一般为256或512字节，块擦除速度快于NorFlash，通常只需2毫秒。它的地址和数据共享总线，这意味着数据访问速度不如NorFlash灵活，而且不能按字节进行随机编程。然而，NANDFlash的块尺寸更小，引脚少，使得其在位成本上极具竞争力，预计能突破每兆字节1美元的价格门槛。此外，NANDFlash芯片通常包含失效块，这些不会影响正常工作的块，但需要在设计中进行处理。 在嵌入式系统中，NorFlash由于其稳定性用于存储不可变的引导程序和固件，而RAM（随机存取内存）则作为临时工作存储，用于操作系统和正在运行的程序，其数据在电源关闭时会丢失。ROM，即只读存储器，尽管数据一旦写入后不易修改，但在系统启动时提供稳定的数据源，如嵌入式设备的操作系统。现代PDA的ROM容量已经提升到了64MB和128MB，反映了其在硬件设计中的重要性。