FDN335N-NL-VB：N沟道20V TrenchFET MOSFET适用于DC/DC转换器

FDN335N-NL-VB是一款N沟道SOT23封装的MOSFET，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。这款MOSFET采用TrenchFET®技术，具有无卤素、符合RoHS指令的特点，并且100%通过了Rg测试。 详细说明: FDN335N-NL-VB是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特点是采用SOT23封装，这种小型封装适合在空间有限的应用中使用。该器件的最大额定Drain-Source电压（VDS）为20V，这意味着它可以在不超过20V的电压下安全工作。同时，它具有低的导通电阻（RDS(on)），在不同的栅极电压（VGS）下，RDS(on)分别为0.028Ω（VGS=4.5V）、0.042Ω（VGS=2.5V）和0.050Ω（VGS=1.8V），这表明其在控制电流流动时有较低的功率损失。 该MOSFET的最大连续漏源电流（ID）在25°C时为6A，当温度升至70°C时，电流会下降到5.1A或4A，具体取决于测试条件。此外，它还支持脉冲漏源电流（IDM）高达20A，以及连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为1.75A，70°C时为1.04A。最大功率耗散（PD）在25°C时为2.1W，而70°C时则降至1.3W或更低，确保了在不同温度下的稳定工作。 FDN335N-NL-VB符合RoHS指令2002/95/EC，意味着它不含卤素，是一种环保型元器件。同时，它经过了100%的Rg测试，确保了可靠的质量控制。在操作和存储温度范围内，FDN335N-NL-VB可以承受-55°C到150°C的温度，但建议在使用和储存时遵循特定的温度指导原则，如焊接推荐的峰值温度。 FDN335N-NL-VB是一款适用于小型化、高效能电子设备的MOSFET，尤其适用于需要高效能电源转换和负载管理的便携式应用。其低RDS(on)和紧凑的封装使其成为DC/DC转换器的理想选择，同时满足了现代电子产品对环保和性能的双重需求。