Genesis Photonics DP5 (45x45) LED芯片技术规格

“新世纪LED芯片45mil规格书参考.pdf”主要涵盖了Genesis Photonics Inc.生产的45x45 mil尺寸的蓝光InGaN/GaN LED芯片的产品规范，包括材料、机械规格、电气光学特性等内容。 这篇规格书是关于Genesis Photonics Inc.的一款蓝光InGaN/GaN LED芯片——型号为DP5 (45X45) 的详细规格描述。该文档版本为V.990105B，由Oscar Chan创建并由Heaven Hsu批准，日期为2010年1月5日。这份文档是受控的，意味着它在修改和分发时需要经过特定的审批流程，以确保信息的准确性和一致性。 1. 范围（Scope）： 规格书主要针对Genesis Photonics Inc.的45x45 mil蓝光InGaN/GaN LED芯片，详细列出了其电光性能的检验标准。 2. 材料（Materials）： - P接触（P-contact）使用了ITO（铟锡氧化物），这是一种常见的透明导电材料，用于LED的阳极。 - P电极（P-pad）采用Au（金），金因其良好的导电性和耐腐蚀性常用于半导体器件的电极。 - N电极（N-pad）同样采用Au，与P电极类似，用于阴极连接。 3. 机械规格（Mechanical specifications）： - 芯片尺寸：1143μm x 1143μm，允许的公差为±10μm，这决定了芯片的物理大小。 - P电极直径：φ110μm，同样有±10μm的公差，这个尺寸影响了电极的接触面积。 - N电极直径：与P电极相同，也是φ110μm，±10μm的公差。 - 芯片厚度：150μm，允许的公差为±10μm，这关系到芯片的物理强度和散热性能。 - 芯片的俯视图和截面图可能提供了更深入的结构信息，但这些信息在摘要中未给出。 这些规格书中的信息对于理解芯片的制造工艺、性能预期和应用范围至关重要，对于电子工程师、设计师以及LED产业的相关人员来说具有很高的参考价值。例如，这些参数可以帮助确定芯片是否适合特定的照明应用，或者在设计电路和封装时如何优化性能和可靠性。