华成英《模拟电子》第四版：习题详解与知识点总结

模拟电子_第四版_华成英_khdaw 本资源是一部针对模拟电子学的教材，由华成英编著，旨在帮助学生理解和掌握模拟电子技术的基础知识。章节内容涵盖了第一部分——常用半导体器件，其中包括判断题、选择题和实际电路分析。 在第一章中，作者详细解答了关于半导体类型的问题。首先，介绍了N型半导体掺入三价元素后可以转变为P型半导体，这是正确的（√）。N型半导体虽然多子是自由电子，但整体并不带电，因此第二个说法错误（×）。PN结在无光照和外加电压时，由于扩散与漂移平衡，结电流确实为零（√）。 晶体管在放大状态下的工作原理被解释，集电极电流并非仅由多子漂移形成，还有其他因素，所以第四题的回答为错误（×）。接着，讲解了结型场效应管的工作原理，正确设置栅-源电压是为了确保耗尽层承受反向电压，从而实现高输入阻抗（RGS）（√）。耗尽型N沟道MOS管的输入电阻在UGS大于零时实际上可能不会明显减小，所以第六题的答案是错误的（×）。 接下来是选择题解答，涉及PN结加正向电压时空间电荷区的变化、二极管的电流方程、稳压管的工作状态、晶体管放大区的工作状态以及不同类型的场效应管在UGS为0V时的工作区域。这些题目涉及了半导体器件的基本行为和电路分析，帮助读者理解器件在不同条件下的响应。 此外，书中还包含了具体电路的电压计算，如二极管和晶体管电路的输出电压，以及稳压电路中的电压确定。最后，通过示例晶体管输出特性的解析，展示了如何根据最大耗散功率（PCM）来确定过损耗区，这对于理解功率管理在实际应用中的重要性十分关键。 这本教材的课后习题答案提供了对模拟电子基础概念的深入理解，通过解决实际问题，强化了理论知识的学习，是学习者巩固和深化理解模拟电子技术的重要参考资料。