新型HV-BCD工艺的100V场致发光驱动芯片与自解压JTE终端

本文主要探讨了一种创新的高压-BCD处理平台上实现的新型HV-EL驱动器集成电路，该平台采用了具有自解压JTE沟槽端接技术的0.35μm150V-BCD工艺。BCD（双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体）技术在此设计中扮演了关键角色，它允许集成自提取结终端，从而提高了工艺效率和芯片的集成度。 作者重点介绍了一种基于全集成自提取结终端隔离的新BCD工艺，这种工艺在设计100V场致发光用高低侧驱动芯片时得到了应用。传统的P-ISO（P型隔离结构）通过氧化扩散工艺实现隔离，但新提出的BC结短路自提取结终端工艺则简化了这个过程，减少了复杂性，使得芯片设计更为简洁且集成度更高。 新工艺的优势在于它能够确保在100V高压脉冲交替工作状态下，片内的低电阻率VDN-MOS/LDPMOS（N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）高压驱动模块与低压逻辑控制模块之间不会出现负电位或EMMI（微光显微镜）等寄生现象，这对于提高设备的稳定性和可靠性至关重要。 因此，这项研究不仅推动了高压场致发光驱动器IC的发展，还展示了如何通过创新的工艺技术解决传统问题，提升电子元件性能，为高压电子设备的进一步优化提供了新的可能性。这篇文章对于了解高压BCD工艺在驱动器设计中的最新进展以及其在实际应用中的优势具有很高的价值。