南通大学学报
(
自然科学版
)
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(
2&*#$&’ 34-/%4/ !"#$#%&
)
5"’6 ’’ 2"6 (
)*+6 78,-
第
’’
卷 第
.
期
78,-
年
,-
月
高温后退火对薄膜太阳能电池光电性能的影响
李志锋
,
!
-
!
郭宏亮
,
!
周雨薇
/
!
王 强
/
!
章国安
/0
!
张竹青
.
(
’1
南通大学 杏林学院
,
江苏 南通
223445
;
26
江苏综艺光伏有限公司
,
江苏 南通
223/53
;
/6
南通大学 电子信息学院
,
江苏 南通
2234,7
;
.6
南通大学 机械工程学院
,
江苏 南通
2234,7
)
摘要
:
应用
89:;<=>
仿真软件
!
对
?
"
@
区杂质浓度分别为
’ 9 ’4
’3
和
’ 9 ’4
’5
+A
B/
的非晶硅薄膜太阳能电池进行
了后退火工艺仿真研究
6
结果表明
#
非晶硅薄膜太阳能电池的光谱响应特性随着后退火温度的升高和退火时间的
增加而提高
6
与未后退火电池相比
!
保持后退火时间
’ A#&
!
退火温度分别为
744
!
7C4
和
’ 444 :
时
!
电池的短路
电流
$
I
D+
%
增加 约
C6/7E
&
保持后退火温度为
7C4 :
!
退火 时 间 从
, A#&
增加到
C A#&
!
电池的短路电 流
’
I
D+
%
提高约
36F5E6
但是
!
电池的光谱响应特性的提高与后退火工艺参数不成正比关系
6
为了减小后退火对电池杂质再分布的
影响
!
确定最佳后退火工艺参数为
7C4 :
和
( A#&6
研究表明在薄膜电池的生产中增加后退火工艺可以有效地提
高薄膜太阳能电池的光谱响应性能
6
关键词
:
后退火
&
非晶硅薄膜太阳能电池
&
光电性能
&
光谱响应
中图分类号
:
GH7,(6(
I
2
文献标志码
:
<
文章编号
:
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(
78,2
)
8.?8845?83
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LI Zhi-feng
1
!
2
!
GUO Hong-liang
1
!
ZHOU Yu-wei
3
!
WANG Qiang
3
!
ZHANG Guo-an
3*
!
ZHANG Zhu-qing
4
’
1. Xinlin College
!
Nantong University
!
Nantong 226007
!
China
&
2. ZONEPV
’
Jiangsu
%
Co.
!
Ltd
!
Nantong 226376
!
China
&
3. School of Electronics and Information
!
Nantong University
!
Nantong 226019
!
China
&
4. School of Mechanical Engineering
!
Nantong University
!
Nantong 226019
!
China
%
5=(%2-$%> With the help of SILVACO
!
simulation of post growth annealing is probed on the non silicon thin film
solar cell with the concentration of 1 × 10
16
cm
-3
N-type impurity and 1 × 10
17
cm
-3
P-type impurity. The results show
that the post-growth annealing process can effectively improve the spectrum response property of the solar cell with
the post-growth annealing temperature rising and the post -growth annealing time increasing. Compared with non -
post-growth annealing solar cell
!
the battery I
sc
improves about 5.39% with the annealing temperature of 900 ℃
!
950 ℃
and 1 000 ℃ in 1 min
&
the battery I
sc
increases about 6.37% with the annealing time increasing from 1 to 5 min and
the annealing temperature keeping 950 ℃ . However
!
the improvement of the solar cell spectrum property is not
proportional to the post-growth annealing process parameters. To minimize the influence of impurity redistribution
!
the
best post-growth annealing parameters are determinedconcluded as 950 ℃ and 4 min. It is confirmed that the integration
收稿日期
:
24,2B47B27
基金项目
:
国家自然科学基金项目
(
34J52442
);
南通市重大科技创新专项
KL<24474,.M
;
南通市应用研究计划项目
KN24,44,.M
;
江 苏 省 高
等学校大学生实践创新训练计划项目
(
24,2O88@9G@,C,2
,
24,2O88@9G@F2C7
)
作者简介
:
李志锋
(
,7JF
— ),
男
,
工程师
,
硕士研究生
6
0
通信联系人
:
章国安
(
,73C
— ),
男
,
教授
,
博士
,
主要从事电子电路方面的研究
6 !BAP#QR STUP&SV&$W6*"W6+&