VLSI测试方法学：深亚微米技术与电流测试挑战

"深亚微米技术对电流测试的影响-国科大-模式识别-2018期末试题" 在当前的微电子技术领域，深亚微米技术（Deep Submicron, DSM）的进步带来了诸多挑战，特别是在集成电路的测试方面。标题提到的“深亚微米技术对电流测试的影响”着重探讨了这一技术发展如何改变了电流测试的策略和有效性。 电流测试是一种常见的故障检测方法，依赖于正常电路和故障电路静态电流差异。在传统的技术中，当栅极电压Vgs低于阈值电压Vt时，晶体管不会导电。然而，在深亚微米技术下，即使Vgs小于Vt，晶体管仍可能有微小的漏电流，这被称为阈值电流，它与阈值电压有关。随着工艺尺寸的缩小，这个漏电流会显著增加。 描述中提到了随着特征尺寸的减小，截止电流增大，这对无故障电路的静态电流产生了影响。无故障电路的静态电流也在增加，因为电路的密度和集成度不断提高。这种情况下，原本用于区分良品和故障电路的电流差异逐渐减小，降低了测试的分辨能力。因此，传统的电流测试方法不再足够有效。 为了解决这个问题，引入了电流特征描述技术。这种方法不依赖单一的阈值来判断故障，而是通过分析特征符号，这些符号基于所有测量电流的幅值排序。特征符号考虑了截止电流的状态相关性，从而提供了一种更全面的分析手段，提高了区分良品和故障电路的能力。 标签“VLSI”表明该内容与超大规模集成电路（Very Large Scale Integration）紧密相关。VLSI测试方法学和可测性设计是确保集成电路质量和可靠性的关键部分。这部分内容涵盖的范围广泛，包括基本的测试概念、理论，数字电路的描述和模拟，以及组合电路和时序电路的测试生成方法。此外，还讨论了IDDQ测试（直流电流检测测试）、随机和伪随机测试原理，以及内建自测试（Built-In Self-Test, BIST）等高级测试策略。 深亚微米技术的发展对集成电路测试提出了新的挑战，要求更复杂的测试策略和更先进的可测性设计。这不仅影响到电路设计和制造过程，也影响到测试工具和设备的开发，以及整个半导体行业的标准和实践。因此，对于从事集成电路设计、制造、测试和应用的专业人士，理解和掌握这些新技术对电流测试的影响至关重要。