20V SOT23 P-Channel MOSFET LP2301LT1G-VB: -4A RDS(on) & Low Vth

LP2301LT1G-VB是一款由VBSEMI公司生产的P-Channel场效应MOS管，采用紧凑的SOT23封装。这款器件在P-Channel沟道设计中，特别适合于工作电压范围宽，能够承受高达-20V的 Drain-Source (D-S) 电压，具有高电流驱动能力，最大连续漏极电流ID可达-4A。在标准条件（TA=25°C）下，其典型阈值电压（Vth）为-0.81V。 MOSFET的主要特性参数包括： 1. **漏源电阻** (RDS(on))：不同栅极电压（VGS）下的阻值有所不同。在VGS = -10V时，RDS(on)约为0.060Ω；在VGS = -4.5V时降低至0.065Ω；而在VGS = -2.5V时进一步减小到0.080Ω。 2. **漏极电流** (ID)：在不同的温度条件下，最大连续漏极电流限制在-4A（TA=25°C）和-3.2A（TA=70°C）之间。脉冲漏极电流（DM）的最大值限制为-10A，持续时间限制在5秒内。 3. **源漏二极管电流** (IS)：在25°C时，最大连续源漏二极管电流限制为-2A和-1.0A。 4. **功率损耗** (PD)：在25°C时，最大功率损耗为2.5W，而在70°C时降低到1.6W或0.8W。 5. **温度范围**：该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，存储温度范围也在此范围内。 6. **热性能**：热阻值方面，典型情况下Junction-to-Ambient热阻（RthJA）为75°C/W，而最大值为100°C/W。同时，Junction-to-Foot热阻（RthJ）在稳态条件下为40°C/W至50°C/W。 这款LP2301LT1G-VB SOT23封装的P-Channel MOSFET特别适用于那些对小型化、高效率和宽电压范围有需求的应用，如电源管理、信号放大、电机控制等，且在设计电路时需注意其散热要求，因为其最大功率耗散在高温下有所限制。在实际使用中，需根据具体应用的电压、电流负载以及温度环境来选择合适的器件并确保其安全可靠运行。