"常用半导体中英对照表及相关术语解释"

半导体技术在现代电子行业中起着至关重要的作用，半导体器件的研发和生产离不开一系列专有名词和术语。为了更好地理解和应用这些术语，我们需要掌握中英文对照表，以便更好地交流和合作。常用半导体中英对照表是一个非常实用的工具，其中包含了许多我们在实际工作中常见的术语和缩略语。 在半导体制造过程中，离子注入机（ion implanter）被广泛应用。离子注入是一种将离子嵌入半导体材料中以改变其电学性能的方法。LSS理论（Lindhard Scharff and Schiott theory）是解释离子在固体中传输和沉积过程的基础理论，又称为“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。沟道效应（channeling effect）是指当离子穿过晶格沟道时引起的沿着沟道方向运动的现象。射程分布（range distribution）描述了注入离子在半导体中的射程范围，深度分布（depth distribution）描述了离子在半导体中的深度分布情况。投影射程（projected range）指的是离子在材料中的平均穿透深度，阻止距离（stopping distance）是离子在材料中被完全阻止前在材料中穿行的距禿。 退火（annealing）是一种通过加热和冷却来改变材料性质的方法，激活能（activation energy）是指离子在材料中移动所需的能量。等温退火（isothermal annealing）是在恒定温度下进行的退火处理，激光退火（laser annealing）是使用激光束对材料进行局部加热处理的方法。应力感生缺陷（stress-induced defect）是指由于材料受到应力影响而产生的缺陷。择优取向（preferred orientation）是指晶体生长过程中某些方向生长比其他方向更偏向的现象。制版工艺（mask-making technology）是指在半导体制造中用于制作图形和图案的工艺。图形畸变（pattern distortion）是指制作过程中图形形状发生变化的现象。初缩（first minification）和精缩（final minification）是指在制造过程中逐步减小图形尺寸的步骤。 通过学习和掌握常用半导体中英对照表中的术语和缩略语，我们可以更好地理解和应用这些概念，提高工作效率，并与国际同行更好地交流和合作。建议大家将这份对照表收藏起来，随时查阅，以便在工作中随时应用。半导体技术正在不断发展和演进，我们也需要不断学习和更新知识，以跟上行业的发展步伐，更好地应对挑战和机遇。