三星K7R160982B：512Kx36/1Mx18/2Mx9 QDR II b2 SRAM 数据手册

"SAMSUNG-K7R160982B.pdf 是三星电子发布的一份关于512Kx36-bit, 1Mx18-bit, 和2Mx9-bit QDRTM IIb2 SRAM的 数据手册。这份文档详细介绍了这些SRAM芯片的规格和特性，包括其设计、性能参数以及修订历史。" 三星的K7R160982B是一款高性能的静态随机存取存储器（SRAM），具有快速数据读取和写入能力。QDRTM（Quad Data Rate）表示该芯片支持在时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输，从而实现双倍的数据传输速率。IIb2则可能代表这是一种第二代双倍数据速率的SRAM，旨在提供更高的系统带宽。 该SRAM芯片分为三种容量：512Kx36-bit、1Mx18-bit和2Mx9-bit，分别代表不同的存储容量和数据宽度。512Kx36-bit芯片提供18MB（512K x 36 / 8）的存储空间，1Mx18-bit芯片提供18MB（1M x 18 / 8）的存储空间，而2Mx9-bit芯片提供18MB（2M x 9 / 8）的存储空间。这种差异主要是为了满足不同应用场景对于存储容量和访问速度的需求。 文档中的修订历史部分记录了该数据手册从0.0版到3.0版的改动，涵盖了边界扫描出口顺序的变更、过冲和欠冲时间图的修正、JTAG模块图的更新、直流特性表的更改、JTAG ID寄存器定义的校正、交流定时参数的调整（删除了最大KHKH值）、最大时钟周期时间的改变以及165FBGA封装球体的修正等。这些修订确保了文档内容的准确性和最新的技术规范。 这些SRAM芯片通常应用于高性能计算、网络设备、图形处理和嵌入式系统等对内存速度有高要求的领域。它们的使用需要遵循提供的规格书，以确保系统的稳定运行和兼容性。用户在遇到任何关于这些器件的问题时，可以联系附近的三星分公司或者总部获取技术支持。 三星的K7R160982B系列SRAM提供了高速、大容量的存储解决方案，适用于需要快速数据交换的系统设计。通过不断的修订和完善，这些芯片的性能和可靠性得到了持续优化，以满足不断发展的电子行业需求。