英飞凌IPG20N06S2L-50 OptiMOS 功率晶体管技术规格
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更新于2024-08-04
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"IPG20N06S2L-50是英飞凌(INFINEON)生产的一款双通道N沟道逻辑级增强模式功率晶体管,属于OptiMOS系列。这款芯片通过了AECQ101汽车电子委员会的认证,适合在汽车电子系统中使用。它符合RoHS标准,是一款绿色环保产品。此外,该芯片能够承受高温工作环境,最大工作温度可达175°C,并且能够在260°C的峰值回流温度下进行MSL1等级的处理。"
此电子元器件的主要特性包括:
1. **双通道N沟道逻辑级增强模式**:这表明IPG20N06S2L-50具有两个独立的N沟道MOSFET,可在低电压控制下实现高电流驱动,适用于需要开关控制的电源管理应用。
2. **AECQ101资格认证**:这是汽车电子行业的质量标准,确保了该器件在极端条件下仍能保持可靠性和耐用性,适合用于汽车电子系统。
3. **MSL1等级**:表示其湿度敏感度等级,意味着器件在未封装状态下对湿度的耐受能力强,能在较高温度下进行回流焊接。
4. **175°C操作温度**:这使得该芯片能在恶劣的环境中稳定工作,尤其适用于需要高温运行的场合。
5. **100%雪崩测试**:表明每个器件都经过了严格的雪崩能量测试,保证了在大电流脉冲下的安全性。
在电气参数方面:
- **连续漏极电流**(ID):在25°C时,单通道最大连续漏极电流为20A,100°C时为16A。
- **脉冲漏极电流**(ID,pulse):单通道最大脉冲漏极电流可达80A。
- **雪崩能量**(EAS):在ID=10A时,单脉冲雪崩能量的最大值为60mJ。
- **雪崩电流**(IAS):单脉冲最大雪崩电流为15A。
- **栅源电压**(VGS):允许的最大栅源电压为±20V。
- **总功耗**(Ptot):在25°C时,单通道最大允许的总功耗为51W。
- **结壳热阻**(RthJC):这个参数是衡量芯片内部热能传递到外壳效率的指标,其典型值为2.9K/W。
封装信息显示,IPG20N06S2L-50采用PG-TDSON-8-4封装,产品标记为2N06L50。这些信息对于安装和散热设计至关重要。
IPG20N06S2L-50是英飞凌公司的一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于需要高效、稳定电源管理的汽车电子和其他工业应用。其卓越的热性能、高耐压以及通过汽车级认证的品质,确保了在各种严苛条件下的稳定运行。
2023-05-27 上传
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