英飞凌IRF1104PBF HEXFET PowerMOSFET芯片技术规格详情

"IRF1104PBF是英飞凌公司生产的第五代HEXFET Power MOSFET芯片，常用于各种商业和工业应用。这款芯片利用先进的制造工艺实现了极低的导通电阻，结合其快速的开关速度和耐用的设计，使其在多种应用场景下具有高效和可靠的性能。IRF1104PBF采用TO-220封装，这种封装在25°C至50瓦功率损耗级别下广泛应用于工业和商业领域，因为它具有低热阻和低成本的优势。 该器件的主要参数如下： - ID@TC=25°C：在25°C环境下，VGS=10V时的连续漏电流，最大值为100安培。 - ID@TC=100°C：在100°C环境下，VGS=10V时的连续漏电流，最大值为71安培。 - IDM：脉冲漏电流，最大值为400安培，这表示芯片能承受的短时峰值电流。 - PD@TC=25°C：在25°C环境下的最大功率损耗，为170瓦。 - Linear Derating Factor：线性降额因子，每增加一度温度，功率损耗增加1.11瓦。 - VGS：栅极到源极电压，最大值为±20伏特，这是芯片操作的电压范围。 - EAS：单脉冲雪崩能量，最大为350毫焦，代表芯片在雪崩击穿时可承受的能量。 - IAR：单次雪崩电流，最大为60安培，表示在雪崩条件下的电流限制。 - EAR：重复雪崩能量，最大为17毫焦，芯片在连续雪崩条件下可承受的能量。 - dv/dt：峰值二极管恢复dv/dt，最大为5.0伏特/纳秒，衡量了开关速度的快慢。 - TJ：操作结温，未给出具体数值，但通常MOSFET的工作结温应保持在制造商指定的安全范围内。 这款芯片适用于需要高效率、低损耗和良好热管理的电源转换、电机控制、开关电源、逆变器以及其他电力电子系统。其低导通电阻降低了功耗，而高开关速度则提高了系统的整体效率。同时，其耐雪崩能力确保了设备在过载条件下的稳定性，增强了系统的可靠性。"