三星2Gb Q-die DDR3 SDRAM技术规格书
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更新于2024-07-18
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"SANSUM 2Gb Q-die DDR3 SDRAM Only x16 - K4B2G1646Q, Rev.1.03, Mar.2014"
该资源涉及的主要知识点是SAMSUNG的一款内存模块,具体为2Gb Q-die DDR3 SDRAM,工作在x16数据宽度下。DDR3(Double Data Rate Third Generation Synchronous Dynamic Random-Access Memory)是一种高速、低功耗的内存技术,广泛应用于个人电脑、服务器和各种嵌入式系统中。Q-die是指这款内存芯片采用了四颗Die封装在同一封装体内,从而提高了内存容量和性能。
1. **DDR3 SDRAM**:DDR3相较于其前代DDR和DDR2,提升了数据传输速率和能效。DDR3内存工作在更高的频率上,如800MHz、1066MHz、1333MHz等,且具有更低的电压(1.5V对比DDR2的1.8V),降低了功耗。同时,DDR3引入了更先进的预取技术,提高数据读取效率。
2. **2Gb内存大小**:2Gb表示每个内存芯片的容量为2千兆位(Gigabit),转换为GB(Gigabyte)单位即0.25GB,因为1GB=8Gb。这里的2Gb是指单颗芯片的容量,而在内存条中,通常会有多颗芯片组成更大的内存容量。
3. **Q-die封装**:Q-die代表Quad Die,意味着该内存芯片内部集成了四颗独立的内存Die,每颗Die提供256Mbit(32MB)的存储空间,总共形成1GB(8 x 256Mbit = 2GB)的内存容量。这种封装方式有助于缩小物理尺寸,提高集成度,同时可能提供更好的散热性能。
4. **x16数据宽度**:x16表示数据总线宽度为16位,这是内存与主板之间的数据通道宽度,表明内存条可以同时传输16位的数据。在双通道配置下,两个x16内存条可以实现32位的数据并行传输,显著提升内存带宽。
5. **K4B2G1646Q型号**:这可能是三星内存芯片的具体型号,其中“K4B”可能是系列标识,“2G”代表2Gb容量,“16”代表x16数据宽度,“46”可能代表产品特性或序列号,而“Q”可能就是Q-die的标识。
6. **规格与版本**:Rev.1.03表示该产品的设计版本为1.03,发布日期为2014年3月。这表明产品可能会有后续更新和改进。
7. **免责声明**:三星在文档中明确指出,产品规格和信息可能会更改,不提供任何明示或暗示的保修,并强调产品不适用于生命支持、关键医疗设备或其他可能导致人身伤害或损失的应用场景。
8. **联系信息**:用户如果需要获取更多关于三星产品的更新或信息,应联系最近的三星办公室。
9. **知识产权**:三星声明所有文档和讨论的信息均为其独家财产,未授予任何专利、版权、商标或其他知识产权的许可。
10. **品牌与商标**:文档中提到的所有品牌名称、商标和注册商标均归各自所有者所有。
这款SANSUM 2Gb Q-die DDR3 SDRAM内存模块是一款高性能、高密度的内存解决方案,适用于需要高效能内存的系统,但不适用于对可靠性有严格要求的生命支持或关键应用领域。
2018-09-27 上传
2021-04-26 上传
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2024-10-23 上传
dengzs2008
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