三星2Gb Q-die DDR3 SDRAM技术规格书

"SANSUM 2Gb Q-die DDR3 SDRAM Only x16 - K4B2G1646Q, Rev.1.03, Mar.2014" 该资源涉及的主要知识点是SAMSUNG的一款内存模块，具体为2Gb Q-die DDR3 SDRAM，工作在x16数据宽度下。DDR3（Double Data Rate Third Generation Synchronous Dynamic Random-Access Memory）是一种高速、低功耗的内存技术，广泛应用于个人电脑、服务器和各种嵌入式系统中。Q-die是指这款内存芯片采用了四颗Die封装在同一封装体内，从而提高了内存容量和性能。 1. **DDR3 SDRAM**：DDR3相较于其前代DDR和DDR2，提升了数据传输速率和能效。DDR3内存工作在更高的频率上，如800MHz、1066MHz、1333MHz等，且具有更低的电压（1.5V对比DDR2的1.8V），降低了功耗。同时，DDR3引入了更先进的预取技术，提高数据读取效率。 2. **2Gb内存大小**：2Gb表示每个内存芯片的容量为2千兆位（Gigabit），转换为GB（Gigabyte）单位即0.25GB，因为1GB=8Gb。这里的2Gb是指单颗芯片的容量，而在内存条中，通常会有多颗芯片组成更大的内存容量。 3. **Q-die封装**：Q-die代表Quad Die，意味着该内存芯片内部集成了四颗独立的内存Die，每颗Die提供256Mbit（32MB）的存储空间，总共形成1GB（8 x 256Mbit = 2GB）的内存容量。这种封装方式有助于缩小物理尺寸，提高集成度，同时可能提供更好的散热性能。 4. **x16数据宽度**：x16表示数据总线宽度为16位，这是内存与主板之间的数据通道宽度，表明内存条可以同时传输16位的数据。在双通道配置下，两个x16内存条可以实现32位的数据并行传输，显著提升内存带宽。 5. **K4B2G1646Q型号**：这可能是三星内存芯片的具体型号，其中“K4B”可能是系列标识，“2G”代表2Gb容量，“16”代表x16数据宽度，“46”可能代表产品特性或序列号，而“Q”可能就是Q-die的标识。 6. **规格与版本**：Rev.1.03表示该产品的设计版本为1.03，发布日期为2014年3月。这表明产品可能会有后续更新和改进。 7. **免责声明**：三星在文档中明确指出，产品规格和信息可能会更改，不提供任何明示或暗示的保修，并强调产品不适用于生命支持、关键医疗设备或其他可能导致人身伤害或损失的应用场景。 8. **联系信息**：用户如果需要获取更多关于三星产品的更新或信息，应联系最近的三星办公室。 9. **知识产权**：三星声明所有文档和讨论的信息均为其独家财产，未授予任何专利、版权、商标或其他知识产权的许可。 10. **品牌与商标**：文档中提到的所有品牌名称、商标和注册商标均归各自所有者所有。 这款SANSUM 2Gb Q-die DDR3 SDRAM内存模块是一款高性能、高密度的内存解决方案，适用于需要高效能内存的系统，但不适用于对可靠性有严格要求的生命支持或关键应用领域。