HT66F60A/70A:内置EEPROM增强型8位FLASH单片机技术手册
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更新于2024-07-21
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"HT66F60A、70A手册V1.00.pdf"
本文档详细介绍了HT66F60A和HT66F70A两款内置EEPROM增强A/D型8位FLASH单片机的技术规格和功能。这两款微控制器由台湾辉达电子(Holtek Semiconductor)生产,适用于各种嵌入式应用,尤其在需要高效能、低功耗及内存扩展的场合。
HT66F60A/HT66F70A的CPU特性包括一个高性能的8位CPU内核,支持流水线操作,可以实现高效的指令执行。它们集成了多种周边功能,如模拟数字转换器(ADC)、比较器、低电压检测(LVD)和低电压复位(LVR)等,适合于需要信号处理和电源监控的应用。此外,这些芯片还具备上电复位(POR)功能,确保在电源启动或异常波动时设备能够稳定运行。
在内存方面,HT66F60A/HT66F70A内建了Flash程序存储器和数据存储器。Flash存储器支持在线编程(ICP)、片上调试(OCDS)以及在应用编程(IAP),用户可以方便地进行程序更新和调试。数据存储器分为通用数据存储器和特殊功能数据存储器,其中包含多个特殊功能寄存器,用于控制和管理芯片的各种功能。间接寻址寄存器和存储区指针提供了灵活的数据访问机制。
模拟部分的ADC特性详尽地列出了转换精度、采样速率和其他关键参数,满足不同精度要求的A/D转换需求。比较器电气特性则描述了比较器的工作条件和性能指标。LVD&LVR电气特性定义了低电压检测和复位的工作范围,有助于系统在电源电压下降时保持稳定。
在系统结构部分,文档阐述了程序计数器、堆栈、ALU和数据存储器的工作原理,以及如何通过状态寄存器进行错误检查和控制。EEPROM部分则说明了如何读写数据,以及如何启用写保护和设置中断。振荡器章节涵盖了不同类型的振荡器,如外部晶体、陶瓷振荡器,外部和内部RC振荡器,以及32.768kHz晶体振荡器,详细描述了它们的工作模式和配置选项。
最后,文档还讨论了系统工作模式,包括不同模式下的时钟配置和功耗控制。控制寄存器的说明提供了如何切换工作模式和实现快速唤醒的指南。这份手册为设计人员提供了全面的参考资料,以便于开发基于HT66F60A和HT66F70A的嵌入式系统。
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