1GbitsDDR2SDRAM规格：EDE1116AEBG-8E

"EDE1116AEBG-8E DDR2 SDRAM 存储器" 本文档详细介绍了 EDE1116AEBG-8E DDR2 SDRAM 存储器的技术规格和特性。该存储器是由 Elpida Memory, Inc. 制造的， density 为 1Gbits，组织结构为 64Mwords × 16bits，共 8 个银行。该存储器支持 800Mbps/667Mbps 的数据传输速度，具有八个内部银行，支持并发操作。 **技术规格** * 密度：1Gbits * 组织结构：64Mwords × 16bits，8 个银行 * 封装：84-ball FBGA，Lead-free (RoHS complaint) 和 Halogen-free * 电源供应：VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V * 数据传输速度：800Mbps/667Mbps (max.) * 页大小：2KB * 行地址：A0 到 A12 * 列地址：A0 到 A9 * 界面：SSTL_18 * 爆发长度 (BL)：4, 8 * 爆发类型 (BT)：Sequential (4, 8), Interleave (4, 8) * /CAS 延迟 (CL)：3, 4, 5, 6 * 预充电：自动预充电选项，适用每个突发访问 * 驱动强度：正常 / 弱 * 刷新：自动刷新，自刷新 * 刷新周期：8192 次 / 64ms * 平均刷新周期：7.8μs (@ 0°C ≤ TC ≤ +85°C), 3.9μs (@ +85°C) **应用场景** EDE1116AEBG-8E DDR2 SDRAM 存储器广泛应用于计算机、服务器、数据中心、嵌入式系统等领域，满足了高性能、低延迟和高密度存储的需求。 **技术优势** * 高密度存储：EDE1116AEBG-8E DDR2 SDRAM 存储器具有高密度存储能力，能够满足高性能应用场景的需求。 * 高速数据传输：该存储器支持高速数据传输，能够满足高速数据处理和高速存储的需求。 * 低延迟：EDE1116AEBG-8E DDR2 SDRAM 存储器具有低延迟特性，能够满足实时系统和高速数据处理的需求。 * 低功耗：该存储器具有低功耗特性，能够满足移动设备和嵌入式系统的需求。 EDE1116AEBG-8E DDR2 SDRAM 存储器是高性能、低延迟和高密度存储的理想选择，广泛应用于计算机、服务器、数据中心、嵌入式系统等领域。