APM2320AC-TRG-VB: N-Channel SOT23 MOSFET 30V 6.5A特性及应用

本文档详细介绍了APM2320AC-TRG-VB型号的N-Channel沟道SOT23封装MOSFET晶体管，由VBSEM制造。这款器件具有环保特性，符合IEC61249-2-21标准，采用TrenchFET®技术，确保了高效率和可靠性。 该MOSFET的主要特性包括： 1. **电压规格**： - 集电极-源极电压（VDS）：最高可达30V，确保了在高压应用中的稳健性能。 - 门极-源极电压（VGS）：工作范围为±20V，具有宽广的可调性以适应不同的电路需求。 2. **电流能力**： - 连续导通电流（ID）在室温下可达6.5A（在TJ=150°C时为6.0A），在脉冲条件下允许的最大电流（IDM）为25A。 - 源极-集电极反向漏电流（IS）在25°C时典型值为1.4A，在70°C时降为0.9A。 3. **功率管理**： - 最大功率损耗（PD）在25°C时为1.7W，而在70°C时降低到0.7W，体现了良好的散热设计。 - 电源损耗以130°C/W的效率计算，适用于稳定工作状态。 4. **温度范围**： - 操作和存储温度范围宽广，从-55°C至150°C，满足各种环境条件下的应用。 5. **封装及尺寸**： - 封装形式为SOT-23，紧凑型设计便于集成到小型电路板上，如1"x1" FR4板。 6. **测试与合规性**： - 产品通过了100% Rg测试，并符合RoHS指令2002/95/EC，确保了无卤素和有害物质。 7. **安全信息**： - 在Soldering Recommendations中，建议峰值温度不超过260°C，以防止过热。 在应用方面，APM2320AC-TRG-VB适合于直流/直流转换器等高性能电子设备中，特别是在需要低阻抗、高开关速度和可靠性的场合。用户在设计电路时需要注意限制包装限制，确保在指定的温度范围内工作，并遵循制造商提供的散热指南。这款晶体管因其高性能和小型化优势，广泛应用于工业控制、自动化系统和电机驱动等应用领域。