Hynix 256Mbit Mobile DDR SDRAM: Overview & Specifications

H5MS2562JFR是一款256Mbit的移动DDR SDRAM，它采用双数据速率（Double Data Rate, DDR）架构，这意味着在每个时钟周期内可以传输两次数据，显著提高了数据传输速度。该产品设计为x16的总线宽度，提供了高效的并行数据传输能力。 内存细胞阵列部分由四个独立的 banks 组成，每个 bank 内包含 4,194,304 个 16位单元，总共提供 4M x 4Bank x 16 I/O，支持大规模的数据存储和处理。这种设计结构确保了高密度和灵活性。 接口方面，H5MS2562JFR采用复用地址（Multiplexed Address），包括行地址和列地址的合并，简化了地址线的管理，提高了地址寻址的效率。此外，它支持双向数据 strobe（DQS），即LDQS和UDQS，它们与数据一起传输并在接收端用于捕获数据，确保了数据同步。 在低功耗特性上，该模块提供了多种节电模式，如 Partial Array Self Refresh (PASR) 和 Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)，能在不活跃期间保持部分内存区域处于低功耗状态。另外，还有 Drive Strength (DS) 调整选项和 Deep Power Down (DPD) 功能，后者作为可选特性，用户需联系Hynix办公室了解具体详情。 输入时钟采用差分信号，包括CK和CK两条线路，确保了稳定且低噪声的时钟信号传输。数据写入时，H5MS2562JFR支持数据mask功能，通过LDM和UDM输入信号，可以在数据 strobe 的上升和下降沿对写入数据进行屏蔽，增强了数据的安全性和可靠性。 值得注意的是，这份文档是Hynix公司的一份通用产品描述，可能会随着技术发展或市场需求的变化而更新，用户在使用时应参考最新版本。同时，Hynix公司并不承担电路使用责任，并且没有暗示任何专利许可。此文档的修订历史表明，它经历了多次迭代，从初步草稿到最终版本，不断完善和补充了相关信息。