Hynix 256Mbit Mobile DDR SDRAM: Overview & Specifications
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更新于2024-07-23
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H5MS2562JFR是一款256Mbit的移动DDR SDRAM,它采用双数据速率(Double Data Rate, DDR)架构,这意味着在每个时钟周期内可以传输两次数据,显著提高了数据传输速度。该产品设计为x16的总线宽度,提供了高效的并行数据传输能力。
内存细胞阵列部分由四个独立的 banks 组成,每个 bank 内包含 4,194,304 个 16位单元,总共提供 4M x 4Bank x 16 I/O,支持大规模的数据存储和处理。这种设计结构确保了高密度和灵活性。
接口方面,H5MS2562JFR采用复用地址(Multiplexed Address),包括行地址和列地址的合并,简化了地址线的管理,提高了地址寻址的效率。此外,它支持双向数据 strobe(DQS),即LDQS和UDQS,它们与数据一起传输并在接收端用于捕获数据,确保了数据同步。
在低功耗特性上,该模块提供了多种节电模式,如 Partial Array Self Refresh (PASR) 和 Temperature Compensated Self Refresh (TCSR),能在不活跃期间保持部分内存区域处于低功耗状态。另外,还有 Drive Strength (DS) 调整选项和 Deep Power Down (DPD) 功能,后者作为可选特性,用户需联系Hynix办公室了解具体详情。
输入时钟采用差分信号,包括CK和CK两条线路,确保了稳定且低噪声的时钟信号传输。数据写入时,H5MS2562JFR支持数据mask功能,通过LDM和UDM输入信号,可以在数据 strobe 的上升和下降沿对写入数据进行屏蔽,增强了数据的安全性和可靠性。
值得注意的是,这份文档是Hynix公司的一份通用产品描述,可能会随着技术发展或市场需求的变化而更新,用户在使用时应参考最新版本。同时,Hynix公司并不承担电路使用责任,并且没有暗示任何专利许可。此文档的修订历史表明,它经历了多次迭代,从初步草稿到最终版本,不断完善和补充了相关信息。
2015-12-09 上传
2021-08-15 上传
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2022-07-01 上传
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2021-10-11 上传
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