IRF3415STRPBF-VB：高性能N沟道MOSFET，适用于电源开关应用

"IRF3415STRPBF-VB是一款N沟道的TO263封装MOS场效应晶体管，由国际整流器公司（IR）生产。这款器件具备TrenchFET技术，能在175°C的结温下工作，并且具有低热阻的新封装设计，适合PWM优化的应用。同时，它符合RoHS指令2002/95/EC的要求。主要应用于电源开关等场合，如初级侧开关。其关键参数包括150V的额定漏源电压（VDS）、低导通电阻（RDS(on)）、45A的连续漏极电流（ID）以及TO-263封装形式。" IRF3415STRPBF-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特点包括： 1. **TrenchFET技术**：这种技术利用沟槽结构来提高MOSFET的密度和降低电阻，从而在相同尺寸的芯片上实现更高的电流处理能力和更低的导通电阻。 2. **175°C结温**：允许该器件在高温环境下长时间稳定工作，提高了其在恶劣条件下的可靠性。 3. **低热阻封装**：新的TO-263封装设计降低了器件的热阻，有利于散热，提高了功率处理能力。 4. **PWM优化**：适合脉宽调制（PWM）应用，能够在高频开关操作中保持高效性能。 5. **RoHS合规**：符合欧盟的有害物质限制指令，是环保型电子产品的一部分。 IRF3415STRPBF-VB的主要电气特性包括： - **漏源电压（VDS）**：最大值为150V，这意味着在正常工作条件下，源极和漏极之间的电压不能超过这个数值。 - **栅源电压（VGS）**：当VGS=10V时，导通电阻RDS(on)为0.035Ω，而在VGS=7.5V时，RDS(on)上升到0.042Ω。较低的RDS(on)意味着在导通状态下，器件的内阻较小，能更有效地传导电流。 - **连续漏极电流（ID）**：在TJ=175°C时，ID的最大值为45A，而在TJ=125°C时，ID的最大值降至31A。 - **脉冲漏极电流（DM）**：器件可承受的最大脉冲电流为140A。 - **雪崩电流（AR）**：允许的最大重复雪崩电流为50A，而重复雪崩能量（EAR）为80mJ，这表明器件在雪崩击穿情况下仍具有良好的耐受性。 此外，该器件的绝对最大额定值和热性能也值得注意： - **最大功率耗散（PD）**：在25°C时，最大功率耗散为160W，但随着温度升高，这个值会降低。 - **结壳热阻（RthJC）**：仅为0.9°C/W，这表示每增加1W的功率，结温将升高0.9°C。 - **结至环境的热阻（RthJA）**：在1"平方的FR-4材质PCB上安装时，热阻为40°C/W，这意味着器件在高功率应用中需要良好的散热设计。 IRF3415STRPBF-VB是一款适用于高效率、高功率密度电源设计的MOSFET，特别适用于需要低损耗、高温稳定性和高频率操作的电路中。