HM2301E-VB型P-Channel MOSFET晶体管参数与应用介绍

HM2301E-VB P-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 HM2301E-VB是一款P-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管，由VBsemi公司生产。该晶体管具有低电阻、高速开关、低电压dropout和高电流承载能力等特点，广泛应用于电子设备的电源管理、电路保护、交换电路、Motor控制和LED驱动等领域。 参数概述 HM2301E-VB P-Channel沟道MOSFET晶体管的主要参数如下： * 额定电压：-20V * 额定电流：-4A * 电阻率（RDS(on)）：57mΩ@VGS=4.5V，12V * 阈值电压（Vth）：-0.81V 绝对最大额定值 HM2301E-VB P-Channel沟道MOSFET晶体管的绝对最大额定值如下： * 漏电流（VDS）：-20V * 门源电压（VGS）：±12V * 连续漏电流（ID）：-4A * 脉冲漏电流（DM）：-10A * 连续源漏二极管电流（IS）：-2A * 最大功率耗散（PD）：2.5W * 工作结温范围（TJ）：-55°C to 150°C 热阻抗 HM2301E-VB P-Channel沟道MOSFET晶体管的热阻抗如下： * 结-ambient热阻抗（RthJA）：75°C/W * 结-Foot热阻抗（RthJ）：40°C/W 特点 HM2301E-VB P-Channel沟道MOSFET晶体管具有以下特点： * 低电阻：RDS(on)=57mΩ@VGS=4.5V，12V * 高速开关：t=5s * 低电压dropout * 高电流承载能力 * 小体积SOT23封装 应用 HM2301E-VB P-Channel沟道MOSFET晶体管广泛应用于： * 电源管理 * 电路保护 * 交换电路 * Motor控制 * LED驱动 结语 HM2301E-VB P-Channel沟道MOSFET晶体管是一款高性能、低电阻、高速开关的MOSFET晶体管，适合各种电子设备的电源管理、电路保护、交换电路、Motor控制和LED驱动等应用场景。