AM2300E3R-VB N-Channel MOSFET: 特性、应用与关键参数

"AM2300E3R-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET晶体管，适用于SOT23封装，主要特点包括无卤素设计、TrenchFET技术、100%栅极电阻测试，并符合RoHS指令。这款MOSFET适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。其关键参数包括20V的额定 Drain-Source 电压（VDS），6A的连续漏电流（ID）以及在不同栅源电压下的低阻抗RDS(on)。此外，它还具有较低的栅极电荷（Qg）和严格的绝对最大额定值，确保了在各种工作条件下的稳定性能。" AM2300E3R-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道MOSFET，采用小型化的SOT23封装，便于在电路板上安装。这款器件的核心特性是其TrenchFET技术，这种技术通过在晶体管内部构建沟槽结构，降低了导通电阻，从而提高了效率和热性能。TrenchFET设计使得AM2300E3R-VB在紧凑尺寸下仍能实现高电流驱动能力。 MOSFET的主要电气参数包括RDS(on)，在VGS = 4.5V时，其典型值为24毫欧，这意味着在导通状态下，器件的内阻非常低，能有效降低电源损耗。随着VGS增加，如在8V时，RDS(on)升至约42毫欧，这表明其对栅极电压的敏感性。此外，门极电荷Qg的典型值分别为在VGS = 2.5V、1.8V时的8.8nC和5.6nC，这影响了开关速度和开关损耗。 该器件的绝对最大额定值包括20V的Drain-Source电压VDS，±12V的Gate-Source电压VGS，以及在不同温度下的连续漏电流ID。例如，在TJ = 150°C时，ID的最大值为6A，而在TJ = 70°C时，ID会有所下降。连续源漏二极管电流IS的最大值在25°C时为1.75A，脉冲漏电流IDM则可达到20A。 此外，AM2300E3R-VB的散热性能也值得一提，其最大功率耗散PD在25°C时为2.1W，而70°C时则降低到1.3W。这些数值强调了在实际应用中考虑散热设计的重要性。最后，操作结温及存储温度范围为-55°C到150°C，确保了器件在广泛的环境条件下都能正常工作。 AM2300E3R-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET，适用于需要高效、小体积解决方案的电源管理、DC/DC转换和负载切换场景。其优秀的电气特性和紧凑的封装使其成为便携式电子设备的理想选择。