英飞凌 IPP019N08NF2S MOSFET 芯片详细规格

"IPP019N08NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 这份文档是英飞凌（INFINEON）公司生产的 IPP019N08NF2S 芯片的中文规格说明书，主要针对这款产品的特性和参数进行了详细介绍。该芯片是一款 N-通道、标准电平的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于广泛的电子应用。 IPP019N08NF2S 的关键特性包括： 1. 优化适用于多种应用。 2. 采用 100% 压雪崩测试，确保了芯片的可靠性。 3. 铅免费的引脚电镀，符合 RoHS（有害物质限制）标准。 4. 符合 IEC61249-2-21 标准，不含卤素，环保友好。 5. 通过 JEDEC（电子设备工程联合委员会）标准进行产品验证。 在技术参数方面，以下是几个重要的性能指标： - VDS：最大漏源电压，80V。 - RDS(on)，max：最大导通电阻，1.9毫欧。 - ID：最大连续电流，191A。 - Qoss：开关损失，145纳库仑。 - QG：栅极电荷，124纳库仑。 - 包装类型：PG-TO220-3，标记为019N08NS。 规格书中还包含了其他章节，如： 1. 最大额定值：列出了芯片可以承受的最大工作条件。 2. 热特性：详细描述了芯片在不同工作状态下的散热性能。 3. 电气特性：提供了芯片在各种工作条件下的电气参数。 4. 电气特性图表：以图形方式展示了电气特性的变化。 5. 封装轮廓：展示了芯片的实际物理形状和尺寸。 6. 修订历史：记录了规格书的更新历程。 7. 商标和免责声明：明确了相关知识产权和法律信息。 IPP019N08NF2S 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于需要高效能、低损耗的电源转换和驱动电路设计，例如在电源管理、电机控制、负载开关等应用中。设计者可以根据这些详细规格来评估该芯片是否满足其项目需求，并根据电气特性进行电路设计。