优化浮栅型闪存氮化物硬掩膜蚀刻工艺的研究

"该资源是一篇关于分栅型闪存中浮栅氮化物硬掩膜层蚀刻工艺优化的研究论文，作者为厉心宇，来自上海交通大学微电子学院。文章探讨了闪存单元的工作原理，包括编程、读取和擦除操作，重点聚焦于浮栅层通过F-N电子隧穿和沟道热电子注入进行擦除和编程的机制。文中还分析了分栅型闪存的结构，强调了浮栅层氮化物硬掩膜层在制造工艺中的关键作用，以及蚀刻工艺对浮栅层质量的影响。作者针对实际生产中出现的蚀刻后剖面角度异常问题提出了实验方案和解决方案，并涉及了各向异性蚀刻技术。" 本文首先对闪存进行了分类，列举了目前市场上的主要类型，如FN隧穿效应、CHE沟道热电子、SSHE源端热电子和HH热孔等编程和擦除机制。接着，详细阐述了闪存的基本结构，即浮栅型MOS管，包括门极、电介质、浮栅层和控制栅，并提供了物理剖面结构图及电路符号表示。 在讨论分栅型闪存时，文章指出浮栅层的特性直接影响闪存单元的擦除和写入效率。氮化物硬掩膜层作为浮栅层的重要组成部分，在制造过程中起到保护和定位的作用。然而，不适当的蚀刻工艺可能导致浮栅层剖面角度异常，影响闪存性能。作者提出了优化蚀刻工艺的必要性，并分享了实验结果，旨在解决这些问题。 最后，文章提到了闪存芯片内部的连接矩阵设计，包括字线和位线的布局，以及控制栅与地址译码的关系，这为理解闪存芯片的读写操作提供了基础。 这篇论文深入研究了分栅型闪存中浮栅氮化物硬掩膜层的蚀刻工艺优化，对于提高闪存制造质量和提升存储设备性能具有重要意义。