FDP6676：30V低阻N沟道MOSFET芯片详细资料

"FDP6676_IcpdfCom-芯片资料介绍.PDF" 本文档详细介绍了FDP6676/FDB6676系列的N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET芯片，这是一种专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计的半导体元件。它特别优化了“低侧”同步整流器操作，具有极低的导通电阻(RDS(ON))。 FDP6676/FDB6676的主要特点包括： 1. **额定电流与电压**：这款MOSFET能够承受30伏的漏源电压(VDS)和42安培的连续漏极电流(ID)，并且在脉冲模式下可承受高达240安培的峰值电流。 2. **超低导通电阻**：在栅极电压VGS为10伏时，其RDS(ON)仅为6.0毫欧；在VGS为4.5伏时，RDS(ON)为7.5毫欧。这使得该器件在高电流传输时损失的功率显著降低，从而提高效率。 3. **关键电气参数**：即使在高温环境下，该MOSFET的关键直流电气参数也得到了规定，确保了其在各种工作条件下的稳定性。 4. **高性能沟槽技术**：采用先进的沟槽技术，实现了极低的RDS(ON)，进一步提高了器件的性能。 5. **高温工作能力**：器件的最大结温(TJ)为175°C，这允许它在高温环境中工作而不影响其性能。 6. **封装形式**：FDP系列采用TO-220封装，而FDB系列则采用TO-263AB封装，两种封装都为用户提供了不同的安装和散热选择。 **应用领域**： - **同步整流器**：FDP6676/FDB6676非常适合于需要高效能整流的应用，例如在电源转换系统中。 - **DC/DC转换器**：由于其优化的低侧同步整流特性，它在DC/DC转换器中发挥着重要作用，提升转换效率。 **绝对最大额定值**： - 漏源电压(VDSS)：30伏 - 栅源电压(VGSS)：±16伏 - 连续漏极电流(ID)：84安培 - 脉冲漏极电流：240安培（峰值） - 总功率耗散(PD)：93瓦（在25°C时） - 温度相关的功率耗散：每升高1°C，功率耗散下降0.48瓦 - 结温和壳温(TJ, TS)：25°C以上需按照温度系数进行降额 总结来说，FDP6676/FDB6676是一款高性能、低损耗的N沟道MOSFET，适用于对效率和高温稳定性要求高的电力电子应用，尤其是需要高效同步整流的DC/DC转换器。其低导通电阻、耐高温能力和先进的沟槽技术使其成为电源管理领域的理想选择。