东芝TC58NVG4D2FTA00：16GB NAND E2PROM技术规格

"TC58NVG4D2FTA00 - 闪存资料文档，包含时序图，属于TOSHIBA的16GB MLC NAND E2PROM" 这篇文档详细介绍了TOSHIBA公司生产的TC58NVG4D2FTA00型号的NAND闪存芯片。该芯片是一款3.3伏特的16吉比特（18,367,119,360位）多级单元（MLC）电可擦除、可编程只读存储器（NAND E2PROM），组织结构为(8192+448)字节×128页×2076块。MLC技术允许每个存储单元可以保存更多信息，从而提高了存储密度。 设备内部包含两个8640字节的静态寄存器，这些寄存器用于在内存单元阵列和外部电路之间以8640字节的增量传输编程和读取数据。这种设计提升了数据处理的效率。擦除操作以单个块（1兆字节+56千字节，即8640字节×128页）为单位进行，简化了操作流程。 TC58NVG4D2采用串行类型设计，I/O引脚同时用于地址、数据输入/输出以及命令输入。自动执行的擦除和编程操作使得这款芯片特别适合固态文件存储、语音记录、静态相机图像文件存储等需要高密度非易失性内存数据存储的应用场景。 主要特性包括： 1. **组织结构**：TC58NVG4D2F内存单元阵列，8640×259.5K×8 2. **高效数据传输**：两个8640字节静态寄存器支持大容量数据的快速移动。 3. **单块擦除**：1M字节+56K字节的单块擦除机制，提高了操作效率。 4. **串行接口**：I/O引脚多功能设计，简化硬件接口。 5. **自动操作**：自动执行的擦除和编程功能，适合低功耗、高性能应用。 该文档还可能包含了关于时序图的信息，时序图是理解如何与该芯片进行交互的关键，包括读写操作、擦除命令以及其他控制信号的时序。这些详细信息对于正确设计和实现与TC58NVG4D2兼容的系统至关重要。设计师和工程师可以通过这份文档了解到如何优化访问速度、功耗以及整体系统性能。