SAMSUNG K7B801825B: 256Kx36 & 512Kx18 位同步SRAM技术规格

"SAMSUNG-K7B801825B.pdf 是一份由三星电子发布的关于256Kx36 & 512Kx18位同步突发SRAM芯片的数据手册，修订版本为3.0，发布于2003年11月。这份文档详细介绍了K7B801825B和K7B803625B两种内存芯片的规格和技术参数。" 本文档主要涵盖了以下关键知识点： 1. **同步SRAM (Static Random-Access Memory)**: SRAM是高速缓存中常用的存储器类型，它保持数据不需要持续刷新，与异步SRAM相比，同步SRAM与系统时钟同步，提供了更高的数据传输速率和更稳定的性能。 2. **256Kx36 & 512Kx18位**: 这表示芯片的存储容量。256Kx36意味着芯片包含256千个36位的存储单元，而512Kx18则表示512千个18位的存储单元。这里的位数指的是每个存储单元可以存储的数据位数。 3. **同步突发模式**: 同步突发SRAM支持连续快速读取或写入多个数据块（突发模式），这在需要连续访问相邻数据的高性能应用中非常有用，如图形处理或数据处理单元。 4. **BGA封装**: 文档中提到的119BGA可能是指119球栅阵列封装，这是一种电路板上常见的高密度封装技术，用于提供大量的连接点，以实现高速信号传输和小型化。 5. **速度等级**: 数据手册提到了不同的速度等级，如-85，这通常表示芯片能在特定的温度范围内达到的最高工作速度。-85可能指的是在-85°C的温度下仍能正常工作的速度等级。 6. **电流规格**: ISB2从50mA增加到60mA，这意味着芯片在工作时的最大输入/输出电流增加了，可能反映了对更高性能的需求。 7. **订购信息**: 随着修订版本的更新，订购信息也发生了变化，例如删除了225MHz的SPB选项，可能是因为产品线的优化或性能提升。 8. **修订历史**: 提供了从初稿到最终版本的详细修订历程，显示了文档内容的演化，包括新增、修改和删除的部分，这对于跟踪芯片规格的变化非常重要。 9. **联系方式**: 三星电子鼓励用户在遇到关于设备参数的问题时，通过其各地分公司或总部联系他们，以便获取技术支持和解答。 总结，SAMSUNG-K7B801825B.pdf 是一个关于三星同步SRAM芯片的技术规格文档，涵盖了这些内存芯片的详细设计、功能特性、封装形式以及随时间演变的规格变更。对于设计使用这些芯片的硬件工程师或系统开发者来说，这是一个至关重要的参考资料。