GaN增强型HEMT在无线功率传输的磁共振D类与E类放大器优势

"Infineon-GaN 增强型 HEMT 在无线功率传输中的优势" 这篇白皮书详细探讨了Infineon公司的GaN（氮化镓）增强型HEMT（高电子迁移率晶体管）在无线功率传输领域的优越性，特别是在磁共振D类和E类射频功率放大器中的应用。无线功率传输是一种免去物理连接的充电方式，尤其适用于便携式设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，它的普及率预期将在未来几年内显著提高。 1. 氮化镓相较于硅技术 白皮书指出，GaN技术相比传统的硅基技术，具有更高的功率密度和效率。GaN器件能承受更高的电压和电流，允许设计更小、更轻的电源解决方案，同时减少能量损失，从而提高无线充电的效率。 2. D类功率放大器 - 拓扑概述：D类放大器是一种开关模式放大器，它通过调节开关元件的工作周期来改变输出电压的平均值，从而实现高效率。 - GaN在D类ZVS（零电压开关）转换中的优点：GaN HEMT可以实现几乎零电压开关，降低了开关损耗，提高了效率。 3. E类功率放大器 - 拓扑概述：E类放大器是一种优化了开关状态以最小化开关损耗的拓扑，尤其适合于高效率无线功率传输。 - GaN在E类放大器中的优势：GaN HEMT的快速开关特性进一步减少了损耗，使得在高频率下工作更加高效。 4. 总结 - 降低栅极电荷损耗：GaN HEMT的快速开关特性减少了栅极电荷，提高了整体效率。 - 体二极管损耗：GaN器件的反向恢复时间短，降低了体二极管损耗。 - GaN器件的良好实践：包括精确的驱动电压控制、限制栅极电流以及优化器件面积以提高性能和可靠性。 Infineon的GaN增强型HEMT在无线功率传输中展现出卓越的性能，其高效、紧凑的特性使其成为无线充电解决方案的理想选择。这些优势不仅改善了设备的充电体验，还对环境友好，因为它们有助于降低能源浪费。