SI4890BDY-T1-E3-VB：高性能N沟道SOP8 MOSFET

"SI4890BDY-T1-E3-VB是一款N沟道SOP8封装的MOSFET，适用于高侧同步整流器操作，具有低电阻、快速开关特性和卤素免费的环保设计。这款MOSFET在10V栅极电压下，漏源电压VDS为30V时，导通电阻RDS(on)仅为0.008Ω，Qg典型值为6.1nC。其应用领域包括笔记本电脑CPU核心的高侧开关。" SI48890BDY-T1-E3-VB是一款由英飞凌科技制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET技术，优化了在高侧同步整流器中的性能。这种器件的特性包括： 1. **TrenchFET技术**：这种技术利用沟槽结构，降低了MOSFET的表面电荷，从而实现了更低的导通电阻和更快的开关速度。 2. **低导通电阻**：在10V的栅极电压下，RDS(on)仅为0.008Ω，这意味着在导通状态下，电流通过器件时的压降非常小，有助于提高系统的效率。 3. **优化的高侧同步整流**：该MOSFET特别适合用于高侧开关，能够有效地减少电源转换器中的损耗。 4. **严格的测试**：每个器件都经过100%的Rg测试和UIS测试，确保了产品的可靠性和安全性。 5. **环保设计**：作为一款卤素免费的器件，它符合现代电子产品对环保的要求。 在规格参数方面，这款MOSFET的绝对最大额定值包括： - **漏源电压VDS**：30V，确保了在正常工作条件下的稳定性。 - **连续漏源电流ID**：在不同温度下有不同的最大值，例如在25°C时为13A，在70°C时为9A。 - **脉冲漏源电流IDM**：45A，用于短时大电流脉冲应用。 - **连续源漏二极管电流IS**：在25°C时为3.7A，表明其内置二极管的承载能力。 - **单脉冲雪崩电流IAS**：20A，允许在特定条件下进行安全的雪崩操作。 - **最大功率耗散PD**：在25°C时为4.1W，70°C时为2.5W，需注意散热设计以防止过热。 此外，器件的工作和存储温度范围是-55°C到150°C，确保了在宽温范围内的稳定运行。安装时，建议参考提供的尺寸图和封装信息，如SOP8的引脚配置，确保正确连接和安装。 SI4890BDY-T1-E3-VB是一款高性能、低损耗的N沟道MOSFET，适用于需要高效能和紧凑封装的电源管理应用，如笔记本电脑CPU的电源转换电路。其优良的电气特性、可靠的测试标准和环保设计使其成为高侧同步整流器的理想选择。