Hynix HY62V8100B: 128Kx8bit CMOS SRAM 技术规格书

"Hynix HY62V8100B.pdf" 该文档是Hynix Electronics关于HY62V8100B系列128Kx8位CMOS SRAM的产品规格书，适用于3.3V低功耗应用。这份资料提供了详细的技术参数、功能特性以及修订历史。 HY62V8100B是一款高速、低功耗的1Mbit（1,048,576位）CMOS静态随机存取存储器，结构上组织为131,072个8位字。这款芯片利用先进的CMOS工艺技术，旨在实现高速度和低功耗，特别适合于高密度、低功耗系统应用。 文档中包含的重要特性有： 1. 数据保留模式：在最低2.0V的电源电压下，设备能够保证数据保持有效，实现了数据的持久性。 2. 性能指标：由于采用了高性能的CMOS电路技术，HY62V8100B能在保持低功耗的同时提供快速的数据存取速度。 3. 修订历史：从文档的修订历史来看，此规格书经历了多次更新，包括改变芯片封装的切口位置、添加标记信息、测试条件的修改以及公司名称的变更（由HYUNDAI更改为hynix）等。 4. 测试条件：文档中提到了5pF的测试负载条件，这可能是在评估存储器性能时的标准设置。 5. 包装信息：产品包装和标记也有过调整，例如切口位置从左上角移到了左中部，以及公司标识的更新。 此SRAM芯片适用于需要快速存取和低功耗特性的嵌入式系统、微处理器系统或者便携式电子设备。其低功耗特性使其成为电池供电设备的理想选择，而高速性能则确保了数据处理的高效性。在设计基于此芯片的电路时，工程师需要参考这份规格书来确保电路的兼容性和可靠性，同时了解如何正确使用数据保留模式以防止数据丢失。