模拟电子技术基础：二极管伏安特性解析

"二极管的伏安特性-模拟电子技术基础课件" 在模拟电子技术中，二极管是一种至关重要的半导体器件，其伏安特性是理解二极管工作原理的基础。伏安特性描述了二极管两端电压与通过它的电流之间的关系。二极管的特性曲线可以分为三个主要部分：正向特性、反向特性以及反向击穿特性。 正向特性是指当二极管处于正偏置状态，即阳极接电源正极，阴极接负极时的情况。在这个状态下，二极管的电压逐渐增加，直到达到一个特定值，通常被称为开启电压或阈值电压。对于硅二极管，如2CP10，这个值约为0.5V；而对于锗二极管，如2AP15，开启电压较低，约为0.1V。一旦超过开启电压，二极管开始导通，电流迅速增加，此时的电压被称为导通电压，硅二极管的导通电压通常为0.7V，而锗二极管的导通电压约为0.2V。 反向特性指的是二极管处于反偏置状态，即阳极接电源负极，阴极接正极。在这种情况下，二极管应该呈现高阻态，流过的电流很小，被称为反向漏电流。反向电压增加，但电流基本保持不变，直到达到一个临界值，此时二极管可能会发生反向击穿。 反向击穿特性是在反向电压过大时，二极管内部的电场强度足以使载流子发生碰撞电离，导致电流突然增大。这个电压值称为反向击穿电压（U(BR)），一旦发生击穿，二极管可能损坏。 模拟电子技术是一门实践性强，注重工程应用的课程。它以半导体器件为基础，以电信号为主线，研究各种模拟电路的工作原理、特点和性能指标。这门课程的目标是让学生能够分析常见的模拟电路，以及设计简单的单元电路。学习过程中，学生需要掌握基本概念，理解基本电路结构，以及运用基本分析估算方法。 课程内容涵盖常用半导体器件，如二极管、三极管等，以及基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、反馈电路、信号运算和处理、波形发生和转换、功率放大电路和直流稳压电源等。通过学习，学生将具备分析和设计电子电路的能力，并了解电子技术在日常生活中的广泛应用，包括通信、导航、娱乐设备等。 教学过程中，除了理论课程，还包括实验环节，成绩评定结合平时表现、实验成绩和期末试卷。参考教材有康华光的《电子技术基础》、陈大钦的《模拟电子技术基础问答》以及陈洁的《EDA软件仿真技术快速入门》等，这些书籍能帮助学生深入理解和掌握模拟电子技术的知识。