英飞凌IRF250P225 MOSFET芯片中文规格手册

"IRF250P225 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 这份文档是关于英飞凌（INFINEON）公司生产的IRF250P225 MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的中文规格书。IRF250P225是一款高性能的功率MOSFET，适用于多种应用场合，包括UPS（不间断电源）和逆变器系统、半桥和全桥拓扑结构、谐振模式电源供应、DC/DC和AC/DC转换器、OR-ing和冗余电源开关、无刷直流电机和BLDC（brushless direct current motor）驱动应用以及电池供电电路。 该芯片的主要优点包括：增强的栅极、雪崩和动态dv/dt耐受能力，这意味着它在高速开关时能承受更大的电压变化率；全面表征的电容和雪崩安全工作区，确保了在设计中能够准确预测其电气性能；提升了体二极管的dv/dt和di/dt能力，这使得在快速电流变化时仍能保持稳定；并且该芯片符合环保标准，无铅、符合RoHS（有害物质限制）规定，且不含卤素。 IRF250P225封装形式为TO-247AC，采用管装，每管包含25个器件。订购时可以参考的可购型号为69ATO-247AC。该MOSFET的关键参数包括：漏源电压（VDSS）为250V，典型的导通电阻（RDS(on)）为18毫欧，最大值为22毫欧，且额定的漏极电流（ID）为41A。 规格书中还包含了关键性能曲线图，如图1展示了典型的导通电阻随栅极电压（VGS）的变化关系，而图2则描绘了最大漏极电流随封装温度（TJ）的变化情况。这些图表对于理解MOSFET在不同工况下的性能至关重要，有助于工程师在设计电路时进行精确的热管理和功率损耗计算。 总体而言，IRF250P225是一款高耐用、高性能的MOSFET，适用于各种电源管理和电机驱动应用，其优化的电气特性使其在工业、汽车和家用电器等领域具有广泛的应用潜力。设计者和工程师应根据具体项目需求，结合规格书中的详细数据来评估其是否适合用在特定的电路设计中。