英飞凌IAUZ20N08S5L300 OptiMOS™-5 功率MOSFET技术规格

"IAUZ20N08S5L300是英飞凌公司生产的OptiMOS™-5系列N沟道增强模式逻辑级功率MOSFET，适用于汽车应用。这款芯片具备高耐温特性，能够在175°C的环境下持续工作，并符合RoHS标准。其主要特点是通过了100%雪崩测试，确保了产品的可靠性。此外，英飞凌的汽车级质量保证，包括扩展的AECQ101资格认证和增强的测试程序，确保了在板级的可靠性能。" IAUZ20N08S5L300的主要特点包括： 1. OptiMOS™-5技术：这是一种专为汽车应用设计的高效能功率MOSFET，提供优化的性能和能效。 2. N通道增强模式逻辑级：这种结构允许低电压驱动，适合与逻辑电路接口，具有快速开关特性。 3. MSL1等级：满足260°C峰值再流温度要求，适合现代化的SMT生产流程。 4. 175°C操作温度：远超常规芯片，可在高温环境下稳定工作。 5. 绿色产品：符合RoHS标准，无有害物质，环保友好。 6. 100%Avalanche测试：确保在过载情况下仍能保持稳定，提高了设备的耐用性。 7. 英飞凌汽车级质量：通过AECQ101标准并扩展了额外的品质验证，增强了产品的可靠性。 8. 防分层粘合增强：采用先进的工艺防止芯片和封装间的分层，提高长期稳定性。 该芯片的最大额定值（在Tj=25°C时，除非另有说明）： - 持续漏电流ID：在25°C和10V栅极电压下为20A，在100°C和10V栅极电压下为14A。 - 脉冲漏电流ID,pulse：在25°C下，脉冲电流可达80A。 - 单脉冲雪崩能量EAS：当ID=10A时，为20mJ。 - 单脉冲雪崩电流IAS：未指定具体数值，但表示可承受10A的雪崩电流。 - 栅源电压VGS：±20V，确保在宽电压范围内稳定工作。 - 功耗Ptot：在25°C下，最大30W。 - 工作和储存温度范围：-55°C到175°C。 - IEC气候类别：55/175/56，表示该器件能在特定的温度和湿度条件下工作。 产品概览： - 类型：IAUZ20N08S5L300属于OptiMOS™-5系列的N沟道MOSFET。 - 封装：PG-TSDSON-8，标记为5N8L300。 IAUZ20N08S5L300是一款高性能、高可靠性的汽车级功率MOSFET，适合在苛刻的环境条件下使用。其独特的设计和严格的测试确保了在各种应用场景中的卓越性能和长期稳定性。