AP9987GJ-VB:100V N沟道TO251 MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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"AP9987GJ-VB是一款N沟道MOSFET,采用TO251封装,适用于100V工作电压,具备175°C的结温能力,通过100%Rg测试,适用于主电源开关等应用。其主要特性包括低阻抗(RDS(on)在VGS=10V时为0.115Ω)和高电流承受能力(ID最大15A)。此外,该器件还有严格的绝对最大额定值,如VDS为100V,VGS为±20V,连续 Drain电流ID在不同温度下有所不同。产品还具有瞬态热阻和稳态热阻数据,以及相关的安全操作区曲线信息。"
AP9987GJ-VB是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),设计用于高压、大电流的应用场景。TO251封装表明它是表面贴装型元器件,适合在1"x1"的FR4电路板上使用。该MOSFET的最大特点是能够承受175°C的结温,这使其在高温环境下仍能保持良好的工作性能。
该器件的主要电气特性之一是其低导通电阻(RDS(on))。在栅极电压VGS为10V时,RDS(on)仅为0.115欧姆,这意味着在导通状态下,流过器件的电流在电压损失上会非常小,从而提高效率。此外,AP9987GJ-VB的最大连续漏源电流ID在环境温度为25°C时为15A,而在125°C时则降低到8.7A,这是由于高温下的热限制。
绝对最大额定值是设计时必须考虑的重要参数。VDS的最大值为100V,防止超过这个电压可能导致器件损坏。VGS的最大值为±20V,确保了栅极电压在安全范围内。此外,短时间脉冲下的Drain电流IDM可以达到45A,但连续源电流IS和雪崩电流IAR的最大值都是15A,以保护MOSFET免受过电流影响。
MOSFET的热性能也是关键因素。AP9987GJ-VB的瞬态热阻RthJA在不超过10秒的短时间内典型值为16°C/W,而稳态时可能高达55°C/W。这意味着器件在大功率运行时需要有效的散热解决方案。另外,结壳热阻RthJC为2.4°C/W,这个参数对于计算器件外壳到环境的热传递非常重要。
最后,AP9987GJ-VB的工作和存储温度范围为-55°C至175°C,确保了在宽温度范围内的可靠运行。制造商VBsemi提供了这款器件的详细规格和相关技术支持,包括安全操作区曲线图,以帮助设计者正确使用和评估其在具体应用中的性能。
2023-12-26 上传
2023-12-27 上传
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2023-12-19 上传
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