AP9987GJ-VB：100V N沟道TO251 MOSFET特性与应用

"AP9987GJ-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO251封装，适用于100V工作电压，具备175°C的结温能力，通过100%Rg测试，适用于主电源开关等应用。其主要特性包括低阻抗（RDS(on)在VGS=10V时为0.115Ω）和高电流承受能力（ID最大15A）。此外，该器件还有严格的绝对最大额定值，如VDS为100V，VGS为±20V，连续 Drain电流ID在不同温度下有所不同。产品还具有瞬态热阻和稳态热阻数据，以及相关的安全操作区曲线信息。" AP9987GJ-VB是一种N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于高压、大电流的应用场景。TO251封装表明它是表面贴装型元器件，适合在1"x1"的FR4电路板上使用。该MOSFET的最大特点是能够承受175°C的结温，这使其在高温环境下仍能保持良好的工作性能。 该器件的主要电气特性之一是其低导通电阻（RDS(on)）。在栅极电压VGS为10V时，RDS(on)仅为0.115欧姆，这意味着在导通状态下，流过器件的电流在电压损失上会非常小，从而提高效率。此外，AP9987GJ-VB的最大连续漏源电流ID在环境温度为25°C时为15A，而在125°C时则降低到8.7A，这是由于高温下的热限制。 绝对最大额定值是设计时必须考虑的重要参数。VDS的最大值为100V，防止超过这个电压可能导致器件损坏。VGS的最大值为±20V，确保了栅极电压在安全范围内。此外，短时间脉冲下的Drain电流IDM可以达到45A，但连续源电流IS和雪崩电流IAR的最大值都是15A，以保护MOSFET免受过电流影响。 MOSFET的热性能也是关键因素。AP9987GJ-VB的瞬态热阻RthJA在不超过10秒的短时间内典型值为16°C/W，而稳态时可能高达55°C/W。这意味着器件在大功率运行时需要有效的散热解决方案。另外，结壳热阻RthJC为2.4°C/W，这个参数对于计算器件外壳到环境的热传递非常重要。 最后，AP9987GJ-VB的工作和存储温度范围为-55°C至175°C，确保了在宽温度范围内的可靠运行。制造商VBsemi提供了这款器件的详细规格和相关技术支持，包括安全操作区曲线图，以帮助设计者正确使用和评估其在具体应用中的性能。