MobileLPDDR3 SDRAM规格特性：EDFP164A1PB详细解读

"该文档是关于EDFP164A1PB-JD-F 216b_15x15_2ch_jd48_24gb_mobile_lpddr3的规格书，详细介绍了B8064B1PB这款216球4430_8Gb DDR PoP内存芯片的特性、频率范围、架构和其他关键功能。" 在移动设备领域，内存的选择至关重要，而Mobile LPDDR3 SDRAM是针对低功耗需求设计的一种内存标准。EDFP164A1PB是一款符合这一标准的内存芯片，其特点包括： 1. **超低电压核心和I/O电源供应**：这使得芯片能够在保持高性能的同时，显著降低能耗，这对于电池供电的移动设备尤为重要。 2. **频率范围**：支持800MHz和933MHz的数据速率，分别对应1600Mb/s/pin和1866Mb/s/pin的传输速度，提供了高效的内存操作。 3. **8n预取 DDR架构**：这种架构允许数据以8倍于时钟周期的速度传输，提高数据吞吐量。 4. **8个内部银行并发操作**：这提高了内存访问效率，因为可以同时对多个银行进行读写操作。 5. **双倍数据率，命令/地址输入**：命令在每个CK_t/CK_c边沿进入，提高数据处理速度。 6. **双向差分数据 strobe（DQS）**：每个数据字节都有DQS_t/DQS_c，确保数据传输的准确同步。 7. **可编程读写延迟（RL/WL）**：用户可以根据系统需求调整读写操作的延迟，优化性能。 8. **突发长度为8**：数据以连续的8个字节进行传输，提升内存带宽利用率。 9. **每个银行的刷新操作**：允许在不影响其他银行的情况下进行刷新，确保数据的稳定存储。 10. **自动温度补偿自刷新（ATCSR）**：通过内置温度传感器实现，根据温度变化自动调整刷新策略，确保数据完整性。 11. **部分阵列自刷新（PASR）**：在不使用的内存区域进入低功耗状态，进一步节省能源。 12. **深度电源下降模式（DPD）**：当设备处于非活动状态时，可以进一步降低功耗。 13. **可选输出驱动强度（DS）**：可以根据系统需求调整输出信号的强度。 14. **时钟停止功能**：在不需时钟的情况下关闭，减少不必要的能耗。 15. **开路检测（ODT）**：用于系统级信号完整性优化。 16. **符合RoHS标准和无卤素封装**：环保且符合电子行业的绿色制造规范。 该芯片的配置选项包括VDD1/VDD2/VDDCA/VDDQ电源电压为1.8V/1.2V/1.2V/1.2V，采用384Megx64的阵列配置，每包24Gb的密度，内含4颗Die，并封装在15mm x 15mm的216球FBGA封装中，工作温度范围从-30°C到+85°C。 B8064B1PB是专为移动设备设计的高效能、低功耗内存解决方案，其特性集成了现代移动设备对内存性能和能效的双重需求。